Anuncio de SII Semiconductor Corporation: Cambio de Nombre de la Empresa

SII Semiconductor Corporation (Presidente: Nobumasa Ishiai, Sede: Chiba-shi, Chiba, en adelante, "SII Semiconductor"), filial de Seiko Instruments Inc. (Presidente: Hitoshi Murakami, Sede: Chiba-shi, Chiba; en ...

Communicado publicado en el 24/08/2017 - 06:00

Murata Adquirirá Peregrine Semiconductor por 12,50 USD por Acción en Efectivo

La adquisición mejora la posición de Murata como proveedor líder del mundo de soluciones de sistemas de RF.

Communicado publicado en el 23/08/2014 - 20:18

Dialog Semiconductor Plc: certificación de FCC para el transmisor de carga inalámbrico de potencia a distancia de Energous abre paso a una completa hoja de ruta de una solución de conjunto de chips del sistema ...

La aprobación de FCC valida la carga inalámbrica remota de WattUp(R) y permite que Dialog acelere la producción masiva de conjunto de chips.

Communicado publicado en el 08/01/2018 - 22:41

XwinSys de Rigaku Group cambia su nombre por Rigaku Semiconductor Instruments

Se refuerza su fabricación de equipos para el envasado avanzado de semiconductores.

Communicado publicado en el 17/12/2024 - 09:22

Toshiba Electronic Devices & Storage Presentará un Receptor de Baja Tensión de 5 GHz para Redes de Área Local Inalámbricas de Última Generación

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) anunció hoy el desarrollo de un receptor de baja tensión de 5 GHz para redes de área local (Local Area Network, LAN) inalámbricas IEEE802.11ax1. ...

Communicado publicado en el 15/09/2017 - 23:56

Toshiba desarrolla un sensor de imágenes CMOS para pequeñas aplicaciones y de baja energía

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de un sensor de imágenes CMOS con circuitos de lectura de pixeles de pequeño tamaño y baja potencia. Un sensor de muestra incrustado en los circuitos de ...

Communicado publicado en el 26/02/2013 - 02:51

Toshiba desarrolla la primera memoria flash NAND Apilada de 16 Die con Tecnología TSV

Toshiba Corporation (TOKYO:6502) anunció hoy el desarrollo de la primera*1 memoria flash NAND apilada de 16 die (máx.) que utiliza tecnología de vías que atraviesan el silicio (Through Silicon Via, TSV). El ...

Communicado publicado en el 06/08/2015 - 11:11

Lattice colabora con NVIDIA para acelerar Edge AI

‒ Anuncia una solución integrada que combina FPGAs de Lattice de baja energía y baja latencia con la plataforma Orin de NVIDIA para unir de forma eficiente los sensores con las aplicaciones de IA –.

Communicado publicado en el 05/12/2023 - 23:07

Toshiba lanza IC de alimentación de sistemas para módulos LCD de tamaño medio usados para navegación en vehículos

Cinco salidas integradas de potencia de tensión diferente reducen el área de montaje.

Communicado publicado en el 03/03/2014 - 16:28

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