Toshiba
Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) anunció hoy el
desarrollo de un receptor de baja tensión de 5 GHz para redes de área
local (Local Area Network, LAN) inalámbricas IEEE802.11ax1.
La empresa dio a conocer detalles de la tecnología el 14 de septiembre
durante la Conferencia Europea de Circuitos de Estado Sólido (European
Solid-State Circuits Conference) en Bélgica.
Este comunicado de prensa trata sobre multimedia. Ver la noticia completa aquí:
http://www.businesswire.com/news/home/20170915005961/es/
Fig. 1 : Variable linearity RFAMP (Graphic: Business Wire)
El crecimiento continuo de la Internet de las Cosas exige comunicaciones
de alta velocidad en entornos con cada vez más dispositivos LAN
inalámbricos. IEEE 802.11ax, la LAN inalámbrica de última generación,
será cuatro veces más rápida que la anterior, incluso en entornos de
alta demanda. Sin embargo, el procesamiento de señales digitales de alta
velocidad con baja disipación de potencia requiere la adopción de
dispositivos semiconductores complementarios de óxido metálico
(complementary metal–oxide–semiconductor, CMOS) más rápidos, que operen
con una tensión de alimentación inferior a 1,0 V. A diferencia de los
circuitos digitales, el rendimiento de los circuitos analógicos de CMOS,
como los receptores CMOS de radiofrecuencia (RF2), se degrada
drásticamente a medida que cae la tensión. Para solucionar este problema
se requiere una nueva tecnología de circuito que pueda operar por debajo
de 1,0 V.
TDSC ha desarrollado tres nuevas tecnologías para receptores RF de baja
tensión.
La primera es un amplificador RF de linealidad variable (RFAMP). Dado
que la amplitud de la señal se ve afectada por la tensión de
alimentación, la linealidad de los RFAMP disminuye a medida que cae la
tensión. El RFAMP convencional utiliza una resistencia variable para
mejorar la linealidad, pero la tensión de corriente continua (CC)
interna y el rendimiento del amplificador también se alteran al ajustar
el valor de la resistencia. Para evitar estos problemas, el nuevo RFAMP
de Toshiba emplea simultáneamente dos rutas de entrada: una ruta de alta
linealidad y otra de ajuste de tensión interna. El RFAMP puede ajustar
la linealidad sin ningún cambio en la tensión de CC interna.
La segunda es un convertidor de frecuencia de bajo ruido. Un convertidor
de frecuencia conmuta una señal de RF recibida con una señal de baja
frecuencia para poder introducirla en el convertidor analógico a
digital. Los convertidores de frecuencia convencionales utilizan una
fuente de CC para mejorar el rendimiento de los conmutadores de
conversión en diseños de baja tensión, pero esta fuente de corriente
adicional degrada el rendimiento con ruido de baja frecuencia. El nuevo
convertidor de frecuencia de Toshiba elimina el ruido de baja frecuencia
al trasladar la fuente de CC al área de RF de los conmutadores de
conversión. El ruido de baja frecuencia se supra-convierte a la
frecuencia de RF, la cual se separa de la señal de baja frecuencia
deseada. De este modo, se logra un rendimiento suficiente del conmutador
sin degradación por ruido.
La tercera es un amplificador operacional (OPAMP) sumador de corriente.
El OPAMP amplifica la señal de baja frecuencia convertida para que
alcance una altura suficiente para introducir la señal analógica en el
convertidor digital. Dado que el nivel máximo de la señal de salida está
limitado por la tensión de alimentación, el OPAMP se ve obligado a
reducir su rango de tensión operativa. El nuevo OPAMP elimina la fuente
de CC de la etapa de salida con un espejo de corriente diferencial de
alta velocidad3, y proporciona una tensión de salida mayor
incluso en un entorno de baja tensión.
La integración de estas tres tecnologías en un receptor de LAN
inalámbrica de 5 GHz ha permitido a TDSC asegurar el nivel de
rendimiento esencial para las redes de LAN inalámbricas de última
generación.
TDSC continuará desarrollando el transceptor y contribuyendo al progreso
de la comunicación inalámbrica de alta velocidad.
Notas
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[1]
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IEEE 802.11ax opera a frecuencias de 2,4 y 5 GHz. Mejorará el
rendimiento promedio en entornos con densidades de terminales altas.
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[2]
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RF: Radiofrecuencia.
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[3]
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Espejo de corriente diferencial de alta velocidad: Un circuito de
alta velocidad diseñado para copiar una corriente de entrada a
salida según el factor designado. Un transistor de efecto de campo
metal-óxido semiconductor (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor, MOSFET) apilado se utiliza para mejorar la velocidad en
el circuito.
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Acerca de Toshiba Electronic Devices & Storage
Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) combina el vigor
de una nueva empresa con la sabiduría de la experiencia. Desde que nos
separamos de Toshiba Corporation en julio de 2017, hemos tomado nuestra
posición entre las principales compañías de dispositivos generales y
ofrecemos a nuestros clientes y socios comerciales soluciones
sobresalientes en semiconductores discretos, integración a gran escala
(large scale integration, LSI) de sistemas y unidades de disco duro
(hard disk drive, HDD).
Nuestros 19 000 empleados en todo el mundo comparten la determinación de
maximizar el valor de nuestros productos y enfatizan una estrecha
colaboración con los clientes para promover la creación conjunta del
valor y nuevos mercados. Esperamos poder aprovechar las ventas anuales
que superan los 700 000 millones de yenes (6000 millones de USD) y
contribuir a un futuro mejor para las personas de todo el mundo.
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