Toshiba desarrolla la primera memoria flash NAND Apilada de 16 Die con Tecnología TSV

06/08/2015 - 11:11 por Business Wire
Toshiba desarrolla la primera memoria flash NAND Apilada de 16 Die con Tecnología TSV
Toshiba desarrolla la primera memoria flash NAND Apilada de 16 Die con Tecnología TSV

Toshiba Corporation (TOKYO:6502) anunció hoy el desarrollo de la primera*1 memoria flash NAND apilada de 16 die (máx.) que utiliza tecnología de vías que atraviesan el silicio (Through Silicon Via, TSV). El prototipo se exhibirá en la Flash Memory Summit 2015 que tendrá lugar del 11 al 13 de agosto en Santa Clara, EE. UU.

Esta edición de Smart News Release (comunicado de prensa inteligente) incluye contenidos multimedia. Vea aquí la publicación completa: http://www.businesswire.com/news/home/20150806005659/es/

16-die Stacked NAND Flash Memory with TSV Technology (Photo: Business Wire)

16-die Stacked NAND Flash Memory with TSV Technology (Photo: Business Wire)

En la generación previa de memorias NAND apiladas la conexión consiste en unión por cables en un paquete. En cambio, la tecnología TSV utiliza electrodos y vías verticales que atraviesan los dies de silicio para conectarse. De esta manera se logra la entrada y salida de datos de alta velocidad y se reduce el consumo de energía.

La tecnología TSV de Toshiba logra una velocidad de E/S de datos de más de 1 Gbps, superior a cualquier otra memoria flash NAND con alimentación de baja tensión: 1,8 V para los circuitos del núcleo y 1,2 V para los circuitos de E/S, y aproximadamente 50 %*2 de reducción de energía en las operaciones de escritura, lectura y transferencia de datos de E/S.

Esta nueva memoria flash NAND proporciona la solución ideal para latencia baja, gran ancho de banda y IOPS/Watt alto en aplicaciones de almacenamiento flash, incluidas las SSD de empresas de alta gama.

Parte de esta tecnología aplicada fue desarrollada por la Organización de desarrollo de energía nueva y tecnología industrial (New Energy and Industrial Technology Development Organization, NEDO).

 

Especificaciones generales del prototipo

Tipo de paquete   NAND Dual x8 BGA-152
Capacidad de almacenamiento (GB) 128   256
Número de pilas 8 16
Dimensiones externas

(mm)

  Ancho 14 14
Profundidad 18 18
Altura 1,35 1,90
Interfaz   DDR alterno
 

Nota:
*1: Desde el 6 de agosto de 2015. Estudio de Toshiba.
*2: En comparación con los productos existentes de Toshiba.

Acerca de Toshiba

Toshiba Corporation, una compañía Fortune Global 500, canaliza las capacidades de clase mundial en los productos eléctricos y electrónicos avanzados, y en los sistemas en cinco ámbitos estratégicos de negocios: Energía e Infraestructura, Soluciones Comunitarias, Sistemas y Servicios de Salud, Dispositivos y Componentes Electrónicos, y Productos y Servicios de Estilos de Vida. Guiada por los principios del Compromiso Básico del Grupo Toshiba, “Comprometidos con la Gente, Comprometidos con el Futuro” (Committed to People, Committed to the Future), Toshiba promueve operaciones internacionales para garantizar el “Crecimiento mediante la Creatividad y la Innovación” (Growth Through Creativity and Innovation), y está contribuyendo a lograr un mundo en el que todas las personas vivan en una sociedad segura y cómoda.

Fundada en Tokio en 1875, Toshiba, hoy en día, está en el centro de una red global de más de 590 compañías consolidadas que emplean a más de 200 000 personas en todo el mundo, con ventas anuales que superan los 6,5 billones de yenes (63 000 millones de USD).
Para obtener más información acerca de Toshiba, visite www.toshiba.co.jp/index.htm

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Toshiba Corporation
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Megumi Genchi / Kota Yamaji, +81-3-3457-3576
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División de Planificación Comercial
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Source(s) : Toshiba Semiconductor & Storage Products Company