Toshiba lanza el nuevo MOSFET de canal N con baja resistencia de encendido

Los últimos productos de procesos de octava generación para usar en los circuitos de protección de baterías de iones de litio y en los interruptores de gestión de alimentación de teléfonos celulares.

Communicado publicado en el 07/12/2012 - 15:49

Toshiba Lanza el Nuevo MOSFET "SSM3K337R" para Controladores de Relé

La estructura de enganche activa impide la sobretensión cuando se apaga la carga inductiva..

Communicado publicado en el 21/06/2013 - 16:28

Toshiba Lanza el MOSFET de Baja Resistencia en Encendido para Aplicaciones Automotrices

La última línea agrega el paquete "DPAK+" adecuado para conmutación de alta velocidad.

Communicado publicado en el 25/01/2013 - 19:25

Toshiba lanza el MOSFET de baja resistencia de encendido N-ch de 100V para aplicaciones en vehículos

Utiliza el paquete "DPACK+" adecuado para conmutación de alta velocidad.

Communicado publicado en el 06/03/2013 - 17:28

Toshiba Lanza el Nuevo Opto Acoplador con Amplificador de Potencia IGBT/MOSFET

Ayuda a reducir el tiempo muerto y mejora la eficacia en circuitos inversores en un rango de temperatura operativa entre -40 °C y 125 °C..

Communicado publicado en el 08/01/2013 - 15:03

Toshiba lanzará un MOSFET de doble N-ch de alta velocidad para convertidores DC-DC de dispositivos móviles

Un producto de baja capacitancia que soporta altas corrientes mejora la eficiencia de la conmutación de alta velocidad.

Communicado publicado en el 01/03/2013 - 23:28

Toshiba Lanza el MOSFET de Baja Resistencia en Encendido para Aplicaciones en Vehículos

También logra una baja pérdida de corriente y una operación a 175 °C.

Communicado publicado en el 15/01/2013 - 17:15

Toshiba: Un dispositivo de estructura innovadora en el MOSFET de bajo consumo para aplicaciones RF/analógicas

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de un transistor de alta ganancia de potencia utilizando un proceso compatible con CMOS. El transistor reduce eficazmente el consumo de energía en la ...

Communicado publicado en el 11/06/2013 - 16:20

Para atender la demanda de productos de administración de alimentación GaN a nivel mundial, EPC se alia con Digi-Key para la distribución a nivel mundial

El distribuidor de componentes electrónicos a nivel mundial Digi-Key Corporation, líder industrial en selección, disponibilidad y entrega de componentes electrónicos, anunció hoy un nuevo inventario de productos ...

Communicado publicado en el 10/10/2013 - 15:30

Toshiba Desarrolla Transistores de Efecto de Campo de Tunelización para MCU de Ultra Baja Potencia

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de Transistores de Efecto de Campo de Tunelización (Tunneling Field Effect Transistors, TFET) que utilizan un nuevo principio de funcionamiento para ...

Communicado publicado en el 11/09/2014 - 23:00

Toshiba Lanza Circuito Integrado para Precontrolador de Motor con Escobillas para Sistema de Servodirección Eléctrica (“EPS”) para la Industria Automotriz

Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) anunció hoy el lanzamiento de “TB9057FG”, un circuito integrado para precontrolador [1]de motor con escobillas mejorado para lograr seguridad funcional y para ser usado en ...

Communicado publicado en el 31/03/2015 - 22:46

Panasonic Lanza el Dispositivo de *1 Semiconductor 'PhotoMOS' más Pequeño de la Industria y de Bajo Consumo de Energía

Panasonic Corporation anunció hoy que ha desarrollado el dispositivo de *1 semiconductor más pequeño de la industria, la serie “PhotoMOS” del tipo CC ”[1], el cual logra un bajo consumo de energía y ...

Communicado publicado en el 09/05/2015 - 03:05

Toshiba Lanza los Circuitos Integrados (IC) de Conmutador de Antena RF para Teléfonos Inteligentes Compatibles con LTE-Advanced

Contribuye a la mejora del rendimiento de los teléfonos inteligentes mediante el uso del proceso "TaRF6" de última generación.

Communicado publicado en el 11/09/2014 - 04:32

Toshiba Lanza el Controlador de Motor de Paso IC Unipolar y Dual

-Paquete pequeño que adopta el proceso de alto voltaje de 80 V (potencia máxima absoluta)-.

Communicado publicado en el 08/08/2014 - 19:31

nuevo mosfet