Toshiba lanza el MOSFET de baja resistencia de encendido N-ch de 100V para aplicaciones en vehículos

Toshiba Corporation (TOKYO:6502) lanzó un nuevo MOSFET de baja resistencia de encendido y baja pérdida de energía de 100V que utiliza el último proceso TrenchMOS como último agregado a su línea de aplicaciones en vehículos. El nuevo producto, "TK55S10N1", logra baja resistencia de encendido con una combinación de un chip en la "serie U-MOS VIII-H" fabricado con el proceso TrenchMOS de octava generación más avanzado y el paquete "DPAK+" que utiliza conectores de cobre. El producto está especialmente adaptado para aplicaciones en automotores, sobre todo las que exigen conmutación de alta velocidad, como los reguladores de conmutación. Las muestras ya están disponibles y el inicio de la producción masiva está previsto para abril de 2013.

Toshiba Low ON-Resistance N-ch Power MOSFET (Photo: Business Wire)

*Siga este enlace para obtener más información sobre el producto. http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1268301_2470.html

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Toshiba fue fundada en 1875 y actualmente opera una red global de más de 550 compañías consolidadas, con 202 000 empleados en todo el mundo y ventas anuales que superan los 6,1 billones de yenes ($74 000 millones de dólares). Visite el sitio web de Toshiba en www.toshiba.co.jp/index.htm

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