Toshiba: Un dispositivo de estructura innovadora en el MOSFET de bajo consumo para aplicaciones RF/analógicas

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de un transistor de alta ganancia de potencia utilizando un proceso compatible con CMOS. El transistor reduce eficazmente el consumo de energía en la aplicación frontal RF/análoga de alta frecuencia. Los detalles serán presentados el 12 de junio en el Simposio 2013 sobre Tecnología VLSI y Circuitos, que se celebra en Kyoto, Japón, del 11 al 14 de junio de 2013.

El rápido crecimiento de los dispositivos inalámbricos y móviles, incluyendo los teléfonos inteligentes y tabletas, está impulsando la demanda de circuitos RF/Analógicos que ofrecen bajo consumo de energía y alto rendimiento. Sin embargo, es difícil aplicar el dispositivo de avanzada y las tecnologías de proceso ampliamente utilizadas en los circuitos digitales en los circuitos RF/analógicos, dado que el escalado del transistor produce ruido y deterioro en la eficiencia de ganancia de energía.

Toshiba ha abordado este problema con un dispositivo de estructura innovadora que utiliza dos materiales diferentes como el electrodo de puerta de un solo MOSFET y un esquema de integración de proceso que emplea un método común de fabricación de semiconductores ampliamente utilizado. Este enfoque ha logrado el control de la longitud de puerta del nanómetro.

Los resultados experimentales con el transistor han asegurado un consumo de energía significativamente menor sin ningún tipo de desaceleración en la velocidad de operación.

La característica distintiva de la estructura de este dispositivo es una capa de barrera de óxido delgada entre los dos materiales, el Silicio (Si) de tipo N y el Silicio (Si) de tipo p en el electrodo de la puerta, que suprime la interdifusión de impurezas. Se puede lograr un campo eléctrico de alta densidad debajo de la región del electrodo de la puerta, mejorando así la eficiencia del amplificador. Se implementa un espesor diferente de la capa de óxido de la puerta con diferentes materiales de los electrodos de la puerta. Esta estructura logra una propiedad de dispositivo bien controlada en modo de saturación, incluso en baja tensión de operación.

El nuevo proceso de fabricación del dispositivo también es aplicable al aislante de puerta de alta permitividad (high-k) utilizado en la fabricación de LSI digital avanzado.

Acerca de Toshiba

Toshiba es un fabricante diversificado, proveedor de soluciones y comercializador líder en el mundo de productos y sistemas electrónicos y eléctricos de avanzada. El Grupo Toshiba aporta innovación e imaginación a una amplia gama de negocios: productos digitales, entre los que se incluyen televisores LCD, computadoras portátiles, soluciones minoristas e impresoras multifunción (Multi-function printer, MFP); dispositivos electrónicos, como semiconductores, productos y materiales de almacenamiento; sistemas de infraestructura industrial y social, como sistemas de generación de energía, soluciones para comunidades inteligentes, sistemas médicos y escaleras mecánicas y elevadores; y electrodomésticos.

Toshiba fue fundada en 1875 y actualmente opera una red global de más de 550 compañías consolidadas, con 202.000 empleados en todo el mundo y ventas anuales que superan los 6.100 billones de yenes (74.000 millones USD). Visite el sitio web de Toshiba en www.toshiba.co.jp/index.htm

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