Toshiba
Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy que ha desarrollado los IC de
conmutador de antena RF SP12T[1] para teléfonos inteligentes
compatibles con la tecnología LTE-Advanced que logran el más bajo nivel
de pérdida de inserción[2,4] y distorsión de RF [3,4]
en la industria. El embarque de las muestras comienza hoy.
Toshiba: SP12T RF Antenna Switch IC (Photo: Business Wire)
Con la difusión de las comunicaciones móviles, la cantidad de bandas de
RF y tasas de velocidad de datos está aumentando drásticamente. Los
requisitos para los IC de conmutador de antena, que se utilizan en los
circuitos de RF de los dispositivos móviles, se están inclinando hacia
los múltiples puertos y las mejoras en el rendimiento de RF, incluidas
la pérdida de inserción y de linealidad. Además, para satisfacer el
crecimiento drástico de los dispositivos de comunicación móvil de alta
velocidad de datos en los mercados emergentes, es necesario lograr estas
mejoras de rendimiento de RF en un método rentable.
En respuesta a estas necesidades, Toshiba ha desarrollado “TaRF6”, un
proceso de nueva generación de TarfSOITM (Toshiba advanced RF
SOI) [5] que utiliza la tecnología de silicio sobre aislante
(silicon-on-insulator, SOI)[6]. TarfSOITM logra la
integración de los circuitos analógicos, digitales y de RF en un solo
chip. En comparación con otras soluciones convencionales, tales como
GaAs, ofrece una solución rentable que soporta las funciones de
conmutación de alta complejidad y el rendimiento de RF.
Con el nuevo proceso "TaRF6", se han desarrollado y utilizado MOSFET
personalizados para aplicaciones de conmutación de RF en el nuevo IC de
conmutador de antena RF SP12T, lo que produce un rendimiento de 0,42 dB
en pérdida de inserción (f=2,7 GHz) y -90 dBm en segunda distorsión
armónica[7]. En comparación con los productos que utilizan el
proceso anterior "TaRF5", hay una mejora de 0,26 dB en la pérdida de
inserción (f=2,7 GHz) y una mejora de 18 dB en la segunda distorsión
armónica. La menor pérdida de inserción puede contribuir al bajo consumo
de energía de los teléfonos inteligentes, mientras que la menor
distorsión puede contribuir al desarrollo de teléfonos inteligentes de
agregación de portadores[8] que requieren una baja distorsión.
Toshiba ampliará la línea de productos mediante el proceso "TaRF6" con
baja pérdida de inserción y baja distorsión para fin de año, para poder
cumplir con los requisitos de múltiples puertos y funciones complejas
exigidas en LTE, que se está implementando en todo el mundo, y la
próxima tecnología de LTE-Advanced [9]. Además, Toshiba está
considerando la posibilidad de ofrecer servicios de fundición SOI
mediante la tecnología TarfSOITM .
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Notas
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[1]
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Conmutador unipolar de doce cambios (Single Pole TwelveThrow Switch)
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[2]
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La pérdida de energía eléctrica que se produce cuando la corriente
pasa de un terminal al otro en un circuito de radiofrecuencia,
expresada en decibeles.
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[3]
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Los componentes de frecuencia innecesarios que aparecen en la señal
de salida cuando la corriente pasa de un terminal a otro en un
circuito de frecuencia de radio.
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[4]
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En el mercado de conmutadores para antena RF al 10 de septiembre de
2014. Estudio de Toshiba.
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[5]
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TarfSOITM es una marca comercial de Toshiba Corporation.
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[6]
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La tecnología forma una película de aislamiento bajo el canal del
MOSFET y reduce la capacidad parásita al mejorar la velocidad y el
ahorro de energía del CMOS LSI.
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[7]
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Componente de distorsión con el doble de frecuencia.
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[8]
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Una técnica para aumentar la velocidad de transmisión de datos
utilizando múltiples portadores de frecuencia simultáneamente.
Para esta aplicación se requiere un rendimiento armónico más
pequeño para evitar la degradación del rendimiento de la recepción
por el componente de armónicos que se superpone sobre la banda de
receptor.
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[9]
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Un nuevo estándar de comunicación que desarrolló la organización de
desarrollo del estándar 3GPP. Uno de los sistemas de comunicación
celular de cuarta generación que definió la Unión Internacional de
Telecomunicaciones (ITU, por sus siglas en inglés).
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Siga este enlace para obtener más información sobre los IC de conmutador
de antena RF de Toshiba.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/linear/index.html
Consultas de Clientes:
Departamento de Ventas y Comercialización de
Dispositivos de Pequeña Señal
Tel: +81-3-3457-3411
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está sujeta a cambios sin previo aviso.
Acerca de Toshiba
Toshiba Corporation, una compañía Fortune 500, canaliza las capacidades
de clase mundial en los productos eléctricos y electrónicos avanzados, y
en los sistemas en cinco ámbitos estratégicos de negocios: Energía e
Infraestructura, Soluciones Comunitarias, Sistemas y Servicios de Salud,
Dispositivos y Componentes Electrónicos, y Productos y Servicios de
Estilos de Vida. Guiada por los principios del Compromiso Básico del
Grupo Toshiba, “Comprometidos con la Gente, Comprometidos con el Futuro”
(Committed to People, Committed to the Future), Toshiba promueve
operaciones internacionales para garantizar el “Crecimiento mediante la
Creatividad y la Innovación” (Growth Through Creativity and Innovation),
y está contribuyendo a lograr un mundo en el que todas las personas
vivan en una sociedad segura y cómoda.
Fundada en Tokio en 1875, Toshiba hoy en día está en el centro de una
red global de más de 590 empresas consolidadas que emplean a más de
200 000 personas a nivel mundial, con ventas anuales que superan los 6,5
billones de yenes (63 000 millones de USD).
Para obtener más
información acerca de Toshiba, visite www.toshiba.co.jp/index.htm
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