Toshiba lanzará un MOSFET de doble N-ch de alta velocidad para convertidores DC-DC de dispositivos móviles

Un producto de baja capacitancia que soporta altas corrientes mejora la eficiencia de la conmutación de alta velocidad.

Communicado publicado en el 01/03/2013 - 23:28

Toshiba Introduce el MOSFET de Potencia con Tensión de 30V para Estaciones de Base y Servidores

Logra desempeño de baja resistencia de encendido y conmutación de alta velocidad de primera clase [Nota 1].

Communicado publicado en el 18/06/2013 - 13:18

Toshiba Lanza Fotoacopladores con Amplificador de Potencia con Paquete SO6L de Baja Altura

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el lanzamiento de fotoacopladores con amplificador de potencia con paquete SO6L de baja altura para usar en la amplificación de IGBT de potencia pequeña a media ...

Communicado publicado en el 28/01/2014 - 18:49

Toshiba Lanza el MOSFET de Baja Resistencia en Encendido para Aplicaciones en Vehículos

También logra una baja pérdida de corriente y una operación a 175 °C.

Communicado publicado en el 15/01/2013 - 17:15

Toshiba Expande la Línea de MOSFET de Canal N de Baja Tensión

La Baja Resistencia de Encendido Reduce la Pérdida de Conducción en Equipos Móviles.

Communicado publicado en el 10/07/2013 - 17:11

Toshiba Expande su Línea de MOSFET de Potencia para Estaciones de Base y Servidores

Lanza productos de 60V con un desempeño de baja resistencia en encendido de primera clase[1] y conmutación de alta velocidad.

Communicado publicado en el 28/06/2013 - 15:39

Toshiba Electronic Devices & Storage Presentará un Receptor de Baja Tensión de 5 GHz para Redes de Área Local Inalámbricas de Última Generación

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) anunció hoy el desarrollo de un receptor de baja tensión de 5 GHz para redes de área local (Local Area Network, LAN) inalámbricas IEEE802.11ax1. ...

Communicado publicado en el 15/09/2017 - 23:56

Toshiba Desarrolla una SRAM de Fuga Extremadamente Baja (XLL SRAM), que Permite que una MCU de Baja Potencia se Encienda Rápidamente desde el Modo 'Inactivo Prolongado'

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de una Memoria de acceso aleatorio estática (Static Random Access Memory, SRAM) de 65 nm con una fuga extremadamente baja (XLL SRAM) apropiada para la RAM ...

Communicado publicado en el 12/02/2014 - 19:44

Toshiba introduce la serie MOSFET “DTMOS IV” superacomplamiento para sistema de 650 V

Realiza un desempeño de baja resistencia de encendido de primer nivel1.

Communicado publicado en el 18/07/2013 - 15:03

Toshiba Lanza el MOSFET de Baja Resistencia en Encendido para Aplicaciones Automotrices

La última línea agrega el paquete "DPAK+" adecuado para conmutación de alta velocidad.

Communicado publicado en el 25/01/2013 - 19:25

Toshiba lanza el MOSFET de baja resistencia de encendido N-ch de 100V para aplicaciones en vehículos

Utiliza el paquete "DPACK+" adecuado para conmutación de alta velocidad.

Communicado publicado en el 06/03/2013 - 17:28

Toshiba Lanzará MOSFET ultra compactos para los circuitos de carga de alta corriente de dispositivos móviles

Se amplía la serie para los paquetes de disipación de alta potencia.

Communicado publicado en el 29/07/2013 - 12:07

Toshiba lanza el nuevo MOSFET de canal N con baja resistencia de encendido

Los últimos productos de procesos de octava generación para usar en los circuitos de protección de baterías de iones de litio y en los interruptores de gestión de alimentación de teléfonos celulares.

Communicado publicado en el 07/12/2012 - 15:49

Toshiba Lanza el Nuevo Opto Acoplador con Amplificador de Potencia IGBT/MOSFET

Ayuda a reducir el tiempo muerto y mejora la eficacia en circuitos inversores en un rango de temperatura operativa entre -40 °C y 125 °C..

Communicado publicado en el 08/01/2013 - 15:03

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