Toshiba Lanzará MOSFET ultra compactos para los circuitos de carga de alta corriente de dispositivos móviles

29/07/2013 - 12:07 por Business Wire

Toshiba Lanzará MOSFET ultra compactos para los circuitos de carga de alta corriente de dispositivos móvilesSe amplía la serie para los paquetes de disipación de alta potencia.

Toshiba Lanzará MOSFET ultra compactos para los circuitos de carga de alta corriente de dispositivos móviles

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy que ha lanzado un MOSFET ultra compacto para los conmutadores de circuitos de carga de alta corriente, que incluyen baterías de 2 celdas, de dispositivos móviles como los teléfonos inteligentes y las tabletas.

Toshiba's Ultra-compact MOSFETs for High-current Charging Circuits of Mobile Devices (Photo: Busines ...

Toshiba's Ultra-compact MOSFETs for High-current Charging Circuits of Mobile Devices (Photo: Business Wire)

A medida que se agregan funciones adicionales a los dispositivos móviles, incluidos los teléfonos inteligentes, teléfonos celulares, tabletas y PC portátiles y que aumentan las exigencias a las baterías de dichos dispositivos, continúan los esfuerzos para impulsar la densidad de la carga y mejorar la experiencia del usuario al aumentar significativamente la corriente de carga para reducir los tiempos de carga. Los nuevos "SSM6J781G" y "SSM6J771G" ultra compactos son las incorporaciones más recientes de Toshiba a su serie MOSFET de alta corriente de paquetes de disipación de alta potencia. Los envíos de la producción en masa comienzan hoy.

Aplicaciones
Conmutadores de carga de alta corriente para dispositivos móviles como teléfonos inteligentes, teléfonos celulares, tabletas y PC portátiles.

Circuitos Recomendados
1. Conmutador positivo (high-side) (Pch)
2. Conmutador positivo que combina la integración a gran escala (Large Scale Integration, LSI) del control del impulso (Nch)
3. Interruptor de control para la protección de la batería negativa (low-side) (Nch)

Características clave
1. Alta corriente
2. Baja resistencia en encendido
3. Baja capacitancia
4. Paquete pequeño (1,5 x 1,0 mm; WCSP6C)
5. Disipación de alta potencia (High-power dissipation, High PD)

Especificaciones principales

MOSFET Nch

Número de Pieza   VDSS
(V)
  VGSS
(V)
  ID(DC)
(A)
  RDS(ON) tipo (mΩ)   PD
(W)
VGS = 2,5V   VGS = -4,5V

SSM6K781G

  12   ±8   7   17,9   14,4   1,2
 

MOSFET Pch

Número de Pieza   VDSS
(V)
  VGSS
(V)
  ID(DC)
(A)
  RDS(ON) tipo (mΩ)   PD
(W)
VGS = -4,5V   VGS = -8,55V
SSM6J771G   -20   ±12   -5   26   23   1,2
 

*Siga este enlace para obtener más información sobre este producto.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1324116_37649.html

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Acerca de Toshiba
Toshiba es un fabricante diversificado, proveedor de soluciones y comercializador líder en el mundo de productos y sistemas electrónicos y eléctricos de avanzada. El Grupo Toshiba aporta innovación e imaginación a una amplia gama de negocios: productos digitales, entre los que se incluyen televisores LCD, computadoras portátiles, soluciones minoristas e impresoras multifunción (Multi-function printer, MFP); dispositivos electrónicos, como semiconductores, productos y materiales de almacenamiento; sistemas de infraestructura industrial y social, como sistemas de generación de energía, soluciones para comunidades inteligentes, sistemas médicos y escaleras mecánicas y elevadores; y electrodomésticos.

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