Dispositivo de Protección contra Descarga Electrostática de Toshiba con Proceso de 0,13 μm para Semiconductor de Energía Analógica Mejora Características de ESD

Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha desarrollado un dispositivo de protección contra descarga electrostática para la aplicación de semiconductores de energía analógica. El dispositivo está fabricado con ...

Communicado publicado en el 15/06/2016 - 21:14

Toshiba: Un dispositivo de estructura innovadora en el MOSFET de bajo consumo para aplicaciones RF/analógicas

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de un transistor de alta ganancia de potencia utilizando un proceso compatible con CMOS. El transistor reduce eficazmente el consumo de energía en la ...

Communicado publicado en el 11/06/2013 - 16:20

Toshiba Desarrolla la Primera BiCS (Memoria Flash Tridimensional de Estructura Apilada) de 48 Capas del Mundo

Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) anunció hoy el desarrollo de la primera memoria flash tridimensional de estructura*2 de células apiladas de 48 capas*1 del mundo, denominada BiCS, un dispositivo de 2 bits ...

Communicado publicado en el 26/03/2015 - 12:30

Toshiba despacha el primer embarque de muestras del mundo de memorias flash 3-D de 64 capas

-- La nueva generación de Toshiba BiCS FLASH™ agrega capas e impulsa la capacidad --.

Communicado publicado en el 27/07/2016 - 04:20

Toshiba Presentará las Tecnologías de Vanguardia en nano tech 2013

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy la línea de tecnologías innovadores que traerá a "nano tech 2013 - La 12ava Exhibición y Conferencia Internacional sobre Nanotecnología", la exhibición más ...

Communicado publicado en el 25/01/2013 - 19:19

Toshiba Lanza el Nuevo MOSFET "SSM3K337R" para Controladores de Relé

La estructura de enganche activa impide la sobretensión cuando se apaga la carga inductiva..

Communicado publicado en el 21/06/2013 - 16:28

Toshiba Memory Corporation anuncia la Memoria flash de 96 capas 3D

La cuarta generación de Toshiba Memory Corporation BiCS FLASH™ agrega capas y aumenta la capacidad.

Communicado publicado en el 28/06/2017 - 13:27

Toshiba Ya Envía Muestras de su Memoria Flash 3D de 64 Capas y 512 Gigabits

-- Mejora su línea con el chip BiCS FLASH™ de mayor capacidad --.

Communicado publicado en el 22/02/2017 - 12:09

Toshiba Memory Corporation Desarrolla la Primera Memoria Flash 3D con Tecnología TSV

Logra una entrada y salida de datos de alta velocidad, bajo consumo energético, gran capacidad.

Communicado publicado en el 11/07/2017 - 17:25

Toshiba lanza el primer sistema Multifunción del mundo respetuoso con el medioambiente que puede eliminar imágenes y texto de las impresiones

El equipo e-STUDIO306LP/RD30 respalda con solidez la conservación y uso sostenible de los ecosistemas naturales.

Communicado publicado en el 11/12/2012 - 07:45

Kioxia presentará tecnologías de memoria emergentes en la Conferencia IEDM 2024

Aplicaciones innovadoras para IA, informática y sistemas de almacenamiento.

Communicado publicado en el 22/10/2024 - 07:26

Kioxia desarrolla la tecnología OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM)

Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, acaba de anunciar el desarrollo de la OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM), un nuevo tipo de DRAM 4F2 , compuesta por un transistor de óxido-semiconductor que tiene ...

Communicado publicado en el 11/12/2024 - 09:30

toshiba dispositivo estructura