Toshiba Desarrolla la Primera BiCS (Memoria Flash Tridimensional de Estructura Apilada) de 48 Capas del Mundo

Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) anunció hoy el desarrollo de la primera memoria flash tridimensional de estructura*2 de células apiladas de 48 capas*1 del mundo, denominada BiCS, un dispositivo de 2 bits ...

Communicado publicado en el 26/03/2015 - 12:30

Toshiba desarrolla la primera memoria flash NAND Apilada de 16 Die con Tecnología TSV

Toshiba Corporation (TOKYO:6502) anunció hoy el desarrollo de la primera*1 memoria flash NAND apilada de 16 die (máx.) que utiliza tecnología de vías que atraviesan el silicio (Through Silicon Via, TSV). El ...

Communicado publicado en el 06/08/2015 - 11:11

Toshiba desarrolla la primera celda MROM con estructura de celda de nivel múltiple

Toshiba Corporation (TOKIO:6502) anunció hoy el desarrollo de la primera celda MROM del mundo para ofrecer mejores características de corriente de celda sin aumentar su tamaño. Este avance se logró al adoptar una ...

Communicado publicado en el 13/06/2013 - 14:39

Toshiba Desarrolla el Controlador de Dispositivo más Rápido del Mundo para Módulo de Memoria Flash NAND Integrada Compatible con la Norma JEDEC UFS Ver.2.0

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy que ha desarrollado el controlador de dispositivo más rápido del mundo para módulos de memoria flash NAND integradas compatible con las normas de Almacenamiento flash ...

Communicado publicado en el 25/02/2014 - 22:17

Toshiba Desarrolla Pantallas de Ultra Alta Definición, con Alternancia Entre los Modos 2D/3D, Que No Requieren Anteojos, Empleando Para Ello una Tecnología de Lentes de Cristal Líquido, con Bajo Nivel de Diafonía

Toshiba Corporation: Resumen Toshiba Corporation ha desarrollado una nueva tecnología para pantallas 3D, que prescinde del uso de anteojos 3D especiales, para lo cual emplea una lente GRIN ...

Communicado publicado en el 27/12/2014 - 19:18

Toshiba Desarrolla Dos Nuevos Procesos Tecnológicos para Circuitos Integrados para Microcontroladores y Comunicaciones Inalámbricas

- Memoria flash de consumo ultrabajo integrada en el proceso lógico para aplicaciones con consumo eléctrico crítico y proceso integrado de memoria no volátil “single-poly” (non-volatile memory, NVM)[1] para aplicaciones ...

Communicado publicado en el 07/07/2015 - 03:33

Toshiba Memory Corporation Desarrolla la Primera Memoria Flash 3D con Tecnología TSV

Logra una entrada y salida de datos de alta velocidad, bajo consumo energético, gran capacidad.

Communicado publicado en el 11/07/2017 - 17:25

Kioxia desarrolla la tecnología OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM)

Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, acaba de anunciar el desarrollo de la OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM), un nuevo tipo de DRAM 4F2 , compuesta por un transistor de óxido-semiconductor que tiene ...

Communicado publicado en el 11/12/2024 - 09:30

Kioxia desarrolla la nueva estructura celular de memoria flash semicircular 3D "Twin BiCS FLASH"

- Utilizando la nueva tecnología de puerta dividida para aumentar la densidad de bits -.

Communicado publicado en el 12/12/2019 - 23:03

Kioxia y MoDeCH desarrollan un sistema de sondeo tridimensional

Medición de las características de alta frecuencia para estructuras tridimensionales hasta 110 GHz.

Communicado publicado en el 27/09/2024 - 10:09

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