Toshiba Desarrolla el Controlador de Dispositivo más Rápido del Mundo para Módulo de Memoria Flash NAND Integrada Compatible con la Norma JEDEC UFS Ver.2.0

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy que ha desarrollado el controlador de dispositivo más rápido del mundo para módulos de memoria flash NAND integradas compatible con las normas de Almacenamiento flash universal (Universal Flash Storage, UFS) Ver.2.0 y Extensión de memoria unificada UFS (UFS Unified Memory Extension, UME) Ver.1.0 definidas por la JEDEC Solid State Technology Association (JEDEC). Un módulo de memoria flash NAND integrada que incluye el controlador alcanza un rendimiento de lectura aleatoria casi 10 veces más rápido que los módulos compatibles con la norma e•MMC^{TM [1]}, ahora ampliamente utilizada en dispositivos móviles de bajo y alto espectro. El controlador de dispositivo garantiza un rendimiento equivalente al de las Unidades de estado sólido (Solid State Drives, SSDs) para computadoras personales en un paquete tan pequeño como una uña.

Toshiba presentó el nuevo controlador de dispositivo en la IEEE International Solid-State Circuit Conference de 2014 (ISSCC) en San Francisco, California, el 12 de febrero.

Recientes avances en la capacidad DRAM y en la potencia de procesamiento de las CPU en teléfonos inteligentes y PCs de tableta permiten a los usuarios disfrutar de aplicaciones más poderosas, incluidos los reproductores de video de alta resolución y juegos ricos en características. Dichos dispositivos también requieren de módulos de memoria flash NAND integrada como su principal almacenamiento no volátil. Avanzando, el mayor rendimiento de Flash NAND integrado compatible con la norma UFS asegurará un uso más extendido en los dispositivos móviles de alto espectro.

Los actuales módulos de memoria flash NAND integrado son cada vez más incapaces de almacenar todos los datos requeridos para ejecutar comandos recibidos desde el host en la RAM en chip de sus controladores de dispositivos, en gran medida debido a su creciente tamaño. Los controladores de dispositivos tienen que ejecutar varias lecturas de los datos de comando de la memoria flash NAND, lo que hace más lenta la ejecución de los comandos. El resultado es una mayor demanda de rendimiento de lectura aleatoria mejorada y una mejor experiencia para el usuario. Sin embargo, es difícil el asegurar un poco más que mejoras incrementales en el rendimiento de lectura aleatoria ya que toma 10s de microsegundos para leer datos desde la memoria flash NAND.

Toshiba ha desarrollado un nuevo controlador de dispositivo para que los módulos de memoria flash NAND integrada superen estas dificultades.

El nuevo controlador de dispositivo almacena datos para ejecutar un comando recibido desde el host en la DRAM del lado de host, reduciendo la cantidad de operaciones de lectura desde la memoria flash NAND. Esto reduce a la mitad el tiempo requerido para procesar un comando de lectura. El procedimiento mediante el cual el controlador de dispositivo escribe datos en la DRAM del lado de host es compatible con la norma UFS UME Ver.1.0, publicada al mismo tiempo que la UFS Ver.2.0.

Toshiba también ha desarrollado un motor de hardware que ejecuta los comandos de lectura recibidos desde el host en paralelo y los integra en el nuevo controlador de dispositivo. Esto alcanza un rendimiento de lectura aleatoria más de dos veces superior en comparación con la tecnología convencional.

Estas dos nuevas tecnologías de Toshiba han logrado módulos de memoria flash NAND integrada con un controlador de dispositivo que alcanza más de 60 kIOPS^[2] en rendimiento de lectura aleatoria de 4 KB de acceso^[3]. Este nivel de rendimiento es casi 10 veces más alto que el de los módulos compatibles con e•MMC Versión 5.0.

El nuevo controlador de dispositivo también integra nueva tecnología de circuito análogo diseñada por Toshiba que permite la comunicación en serie de ultra alta velocidad de UFS a 5,8 Gbps por pista, lo que evita cualquier aumento en el consumo de energía.

Los dispositivos móviles con un módulo de memoria flash NAND integrado que usan el nuevo controlador de dispositivo ofrecerán mayor rendimiento de lectura aleatoria que mejorará el tiempo de respuesta en las transacciones de los usuarios, reduciendo los tiempos de activación de las aplicaciones y mejorará la experiencia general del usuario.

El comienzo del envío de muestras de los módulos de memoria flash NAND integrada con el nuevo controlador de dispositivos está programado para la primera mitad del año calendario 2014.

Notas

[1] e•MMC^TM es una marca comercial y una categoría de producto de una clase de productos de memoria integrada creados de acuerdo con la especificación estándar JEDEC e•MMC^TM.
[2] Entrada / Salida por segundo, número de comandos a completar en 1 segundo.
[3] Las condiciones son las siguientes: el número de chips de memoria flash NAND es 8; el tamaño de la región de acceso es de 8 GB; y la latencia del host es de 1 microsegundo.

Acerca de Toshiba

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