Toshiba Lanza el MOSFET de Baja Resistencia en Encendido para Aplicaciones Automotrices

La última línea agrega el paquete "DPAK+" adecuado para conmutación de alta velocidad.

Communicado publicado en el 25/01/2013 - 19:25

Toshiba lanzará un MOSFET de doble N-ch de alta velocidad para convertidores DC-DC de dispositivos móviles

Un producto de baja capacitancia que soporta altas corrientes mejora la eficiencia de la conmutación de alta velocidad.

Communicado publicado en el 01/03/2013 - 23:28

Toshiba Expande la Línea de MOSFET de Canal N de Baja Tensión

La Baja Resistencia de Encendido Reduce la Pérdida de Conducción en Equipos Móviles.

Communicado publicado en el 10/07/2013 - 17:11

Toshiba Introduce el MOSFET de Potencia con Tensión de 30V para Estaciones de Base y Servidores

Logra desempeño de baja resistencia de encendido y conmutación de alta velocidad de primera clase [Nota 1].

Communicado publicado en el 18/06/2013 - 13:18

Toshiba lanza el MOSFET de baja resistencia de encendido N-ch de 100V para aplicaciones en vehículos

Utiliza el paquete "DPACK+" adecuado para conmutación de alta velocidad.

Communicado publicado en el 06/03/2013 - 17:28

Toshiba lanza el nuevo MOSFET de canal N con baja resistencia de encendido

Los últimos productos de procesos de octava generación para usar en los circuitos de protección de baterías de iones de litio y en los interruptores de gestión de alimentación de teléfonos celulares.

Communicado publicado en el 07/12/2012 - 15:49

Toshiba Expande su Línea de MOSFET de Potencia para Estaciones de Base y Servidores

Lanza productos de 60V con un desempeño de baja resistencia en encendido de primera clase[1] y conmutación de alta velocidad.

Communicado publicado en el 28/06/2013 - 15:39

Toshiba introduce la serie MOSFET “DTMOS IV” superacomplamiento para sistema de 650 V

Realiza un desempeño de baja resistencia de encendido de primer nivel1.

Communicado publicado en el 18/07/2013 - 15:03

Toshiba Lanzará un Controlador LED Fuera de Línea Aislado AC/DC para Iluminación LED

Unidad de iluminación LED 7 - 20W con alto factor de potencia corregido (power factor corrected, PFC).

Communicado publicado en el 02/04/2013 - 02:05

Para atender la demanda de productos de administración de alimentación GaN a nivel mundial, EPC se alia con Digi-Key para la distribución a nivel mundial

El distribuidor de componentes electrónicos a nivel mundial Digi-Key Corporation, líder industrial en selección, disponibilidad y entrega de componentes electrónicos, anunció hoy un nuevo inventario de productos ...

Communicado publicado en el 10/10/2013 - 15:30

Toshiba Desarrolla una Nueva Serie de Conjunto de Transistores Utilizando la Última Tecnología de Procesos

Expansión de la cartera del conjunto de transistores altamente eficientes mediante la adopción de DMOS FET [1] para el controlador de salida.

Communicado publicado en el 18/09/2014 - 21:29

ROHM y Toshiba acuerdan colaborar en la fabricación de dispositivos de potencia

El METI reconoce que el plan conjunto favorece un suministro estable y seguro.

Communicado publicado en el 08/12/2023 - 16:00

Toshiba Desarrolla Transistores de Efecto de Campo de Tunelización para MCU de Ultra Baja Potencia

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de Transistores de Efecto de Campo de Tunelización (Tunneling Field Effect Transistors, TFET) que utilizan un nuevo principio de funcionamiento para ...

Communicado publicado en el 11/09/2014 - 23:00

Toshiba Lanza los Circuitos Integrados (IC) de Conmutador de Antena RF para Teléfonos Inteligentes Compatibles con LTE-Advanced

Contribuye a la mejora del rendimiento de los teléfonos inteligentes mediante el uso del proceso "TaRF6" de última generación.

Communicado publicado en el 11/09/2014 - 04:32

linea mosfet