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GLOBALFOUNDRIES presenta kit de desarrollo de flujo de diseño para producción de señal mixta/análoga de 28nm
El flujo AMS de acceso abierto completamente integrado se ofrecerá a los clientes en el cuarto trimestre de 2010.
Communicado publicado en el 02/09/2010 - 03:14
En la GTC 2010, GLOBALFOUNDRIES establece un camino hacia el liderazgo tecnológico sostenido con una potencia de 28 nm y superior
La compañía ofrece nueva tecnología de 28 nm y revela el mapa de ruta de 22/20 nm.
Communicado publicado en el 02/09/2010 - 23:13
GLOBALFOUNDRIES y Freescale Partner desarrollarán tecnologías de memorias flash de 90nm
Tecnología de avanzada dirigida al uso en plataformas industriales de próxima generación y microcontroladores multimercado Freescale..
Communicado publicado en el 02/09/2010 - 14:38
GLOBALFOUNDRIES será anfitrión de foro con ejecutivos sénior de líderes mundiales en la comunidad de IP y EDA para semiconductores en la Conferencia Internacional sobre Tecnología 2010
ARM, Cadence, Mentor y Synopsys debatirán los retos relacionados con la habilitación de diseños de última tecnología.
Communicado publicado en el 24/08/2010 - 19:57
Samsung y GLOBALFOUNDRIES Forjan Colaboración Estratégica para Entregar una Oferta de Múltiples Fuentes de Tecnología de Semiconductores FinFET de 14nm
La tecnología compartida permite una capacidad global para la fabricación de FinFET de 14nm en EE. UU. y Corea.
Communicado publicado en el 17/04/2014 - 22:34
La GSMA informa récord de asistencia en el Mobile World Congress de Shanghái 2017
El evento de Shanghái contó con la asistencia de casi 67 500 personas, un aumento del 27 % con respecto a la edición 2016.
Communicado publicado en el 04/07/2017 - 13:45