En la GTC 2010, GLOBALFOUNDRIES establece un camino hacia el liderazgo tecnológico sostenido con una potencia de 28 nm y superior

En la Conferencia sobre Tecnología Global inaugural de hoy, GLOBALFOUNDRIES reveló los últimos detalles de su progreso en el desarrollo de tecnología para la generación de tecnología con una potencia de 28 nanómetros (nm) y superior. La compañía anunció la incorporación de nuevos ofrecimientos tecnológicos basados en su tecnología de compuerta metálica de constante dieléctrica K elevada (High-K Metal Gate, HKMG) de 28 nm y difundió por primera vez sus plazos de fabricación para el nodo de 22/20 nm.

“Desde el principio, nuestra visión ha sido ser líderes en tecnología dentro de la industria de la fundición", expresó Gregg Bartlett, vicepresidente sénior de Tecnología e Investigación y Desarrollo de GLOBALFOUNDRIES. “Aumentamos el volumen de producción en la generación de 45/40 nm, claramente por delante de todas las fundiciones, y estamos listos para mantener este liderazgo en 32/28 nm, con planes de extenderlo al nodo de 22/20 nm. Al aprovechar nuestra tradición exclusiva en cuanto a fabricación de vanguardia y mejores prácticas de fundición, brindamos a nuestros clientes la posibilidad de que logren el tiempo de lanzamiento al mercado más rápido para sus diseños de próxima generación".

Alto rendimiento “Plus” de 28 nm

GLOBALFOUNDRIES presenta hoy una nueva tecnología para abordar el creciente mercado de dispositivos móviles inteligentes y procesadores de alto rendimiento que requieren más de 2 GHz de potencia de procesamiento. Programado para comenzar la producción de riesgo en el cuarto trimestre de 2011, la tecnología de alto rendimiento Plus (High Performance Plus, HPP) proporciona una mejora de rendimiento de hasta un 10% sobre la actual oferta de alto rendimiento de la compañía, que es de 28 nm; también ofrece transistores con un nivel ultra bajo de pérdida de energía y memorias estáticas de acceso aleatorio (Static Random Access Memory, SRAM) que extienden el rango de aplicación desde alto rendimiento a baja potencia. Además, también está disponible una abundante oferta de semiconductores complementarios de óxido metálico de radiofrecuencia (Radio Frequency Complementary Metal Oxide Semiconductors, RF CMOS), lo que hace a esta tecnología una plataforma ideal para la próxima generación de diseños de sistemas en un chip (system-on-chip, SoC) de alto rendimiento, con un amplio mercado potencial que va desde dispositivos de baja potencia hasta de alto rendimiento.

La nueva tecnología HPP de 28 nm completa las ofertas de 28 nm de GLOBALFOUNDRIES, que incluye la tecnología de alto rendimiento de 28 nm dirigida a aplicaciones de cableados de alto rendimiento y la tecnología de potencia extra bajo (Super Low Power, SLP) para aplicaciones móviles sensibles a la potencia y para consumidores. Todas las tecnologías de 28 nm cuentan con un innovador enfoque de primera compuerta a HKMG de GLOBALFOUNDRIES. El enfoque es superior a otras soluciones de 28 nm de HKMG, tanto en cuanto a escalabilidad como a manufacturabilidad, ya que ofrece un costo y un tamaño de área física sustancialmente menor, como también compatibilidad con los elementos de diseño y flujos de proceso probados de nodos tecnológicos anteriores.

Actualmente GLOBALFOUNDRIES acepta diseños para sus tecnologías de 28 nm. Muchos diseños para clientes ya han sido validados con silicio y muchos más chips de prueba de producto y de protocolo de Internet (Internet Protocol, IP) están siendo validados en la planta 1 de GLOBALFOUNDRIES en Dresde, Alemania.

El camino hacia la potencia 22/20 nm

Con la producción de riesgo a punto de comenzar en el segundo semestre de 2012, GLOBALFOUNDRIES ya está bien encaminado para entregar tecnología de 22/20 nm a los clientes para la presentación del producto en 2013. La tecnología de 20 nm se ofrecerá en dos variedades: una tecnología de alto rendimiento (High Performance, HP) diseñada para aplicaciones de cableados tales como servidores y procesadores de medios, y una tecnología SLP de 20 nm diseñada para aplicaciones móviles sensibles a la potencia. GLOBALFOUNDRIES también tendrá acceso a una tecnología de rendimiento extra elevado (Super High Performance, SHP) diseñada para dispositivos que requieren el más alto nivel de rendimiento. Las tecnologías 22/20 nm están planificadas para reducir nodos completos desde 32/28 nm, y utilizarán tecnología de próxima generación HKMG e ingeniería de mejoramiento de dispositivos (strain engineering) para hacer posible la medición de costos de matrices y áreas que la industria ha esperado con cada generación de tecnología. Los transportes de chips de prueba para clientes comenzarán a funcionar en la planta 1 en el segundo semestre de 2011.

SOBRE GTC 2010

La Conferencia sobre Tecnología Global inaugural de GLOBALFOUNDRIES ofrece exposiciones destacadas de líderes industriales y presentaciones de miembros sénior de la gerencia de GLOBALFOUNDRIES y de los equipos técnicos, con un énfasis especial en cómo la compañía alcanza su liderazgo de tiempo-volumen aprovechando la colaboración global con clientes y socios. GTC 2010 comienza el miércoles 1.º de septiembre en el Centro de Convenciones Santa Clara, ubicado en el corazón del Silicon Valley de California, y comienza con una serie de eventos “itinerantes” de GTC 2010 que se realizarán en lugares internacionales estratégicos como China, Taiwán, Japón y Europa. Para obtener más información sobre GTC 2010, visite: http://www.globalfoundries.com/gtc2010/.

ACERCA DE GLOBALFOUNDRIES

GLOBALFOUNDRIES es la primera empresa de fundición semiconductora de servicio completo del mundo, con una huella tecnológica y de fabricación verdaderamente global. Lanzada en marzo de 2009 a través de una asociación entre AMD [NYSE: AMD] y Advanced Technology Investment Company (ATIC), GLOBALFOUNDRIES brinda una combinación única de tecnología de avanzada, excelencia de fabricación y operaciones globales. Con la integración de Chartered en enero de 2010, GLOBALFOUNDRIES expandió significativamente su capacidad y habilidad de brindar los mejores servicios de fundición de rango medio a fundición de vanguardia. GLOBALFOUNDRIES tiene su sede central en Silicon Valley, con operaciones de fabricación en Singapur y Alemania, y una nueva planta de avanzada que se encuentra en construcción en Saratoga County, New York. Estos sitios están respaldados por la red global de investigación y desarrollo (Research & Development, R&D), habilitación de diseño y respaldo al cliente en Singapur, China, Taiwán, Japón, Estados Unidos, Alemania y el Reino Unido. Para obtener más información sobre GLOBALFOUNDRIES, visite http://www.globalfoundries.com.

DECLARACIÓN PREVENTIVA

Este comunicado de prensa contiene declaraciones prospectivas, realizadas en conformidad con las disposiciones de la política de privacidad Safe Harbor establecida por la Ley de Reforma de Litigios sobre Valores Privados de 1995 e incluyen, entre otras, declaraciones acerca de las expectativas, suposiciones, evaluaciones, anticipaciones, objetivos, planes, esperanzas, creencias, intenciones o estrategias actuales de la compañía acerca del futuro. Por lo tanto, estas declaraciones prospectivas están sujetas a riesgos e inseguridades que podrían causar que los resultados reales difirieran sustancialmente. Algunos de los factores que contribuyen a estos riesgos e incertidumbres son las condiciones económicas prevalecientes tanto en los Estados Unidos como en el resto del mundo, las dificultades inherentes a las transacciones con clientes nuevos, las perspectivas de oferta y demanda en la industria de la fundición/los semiconductores en general, la estrategia de compras de la posible base de clientes, las acciones de la competencia, el éxito de las alianzas tecnológicas de la empresa, el progreso de la construcción de plantas manufactureras adicionales y de los procesos gubernamentales relacionados, la disponibilidad de componentes y equipo, los problemas de mano de obra y empleo en las plantas manufactureras, el avance de los adelantos en la tecnología y los procesos, y los acontecimientos imprevistos. La compañía no está obligada a actualizar ninguna de las declaraciones prospectivas contenidas en este comunicado de prensa sobre la base de información o acontecimientos futuros.

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