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Toshiba Desarrolla Circuitos de Procesamiento de Señales Mixtas Analógicas y Digitales de Dominio Temporal
- Para reducir un 38 % del circuito de corrección de errores de memoria flash NAND -.
Communicado publicado en el 21/02/2013 - 21:02
Toshiba desarrolla un sensor de imágenes CMOS para pequeñas aplicaciones y de baja energía
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de un sensor de imágenes CMOS con circuitos de lectura de pixeles de pequeño tamaño y baja potencia. Un sensor de muestra incrustado en los circuitos de ...
Communicado publicado en el 26/02/2013 - 02:51
Toshiba Desarrolla un Conversor DC-DC de Capacitor Alterno de Alta Eficiencia y Amplio Rango de Voltaje de Entrada para Circuitos Integrados Inalámbricos
Toshiba Corporation (TOKYO:6502) anunció hoy el desarrollo de un conversor DC-DC de capacitor alterno incorporado en el chip para circuitos integrados inalámbricos que ofrecen una eficiencia de hasta el 95,8 % ...
Communicado publicado en el 03/02/2016 - 15:06
Toshiba Desarrolla una SRAM de Fuga Extremadamente Baja (XLL SRAM), que Permite que una MCU de Baja Potencia se Encienda Rápidamente desde el Modo 'Inactivo Prolongado'
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de una Memoria de acceso aleatorio estática (Static Random Access Memory, SRAM) de 65 nm con una fuga extremadamente baja (XLL SRAM) apropiada para la RAM ...
Communicado publicado en el 12/02/2014 - 19:44
Toshiba Desarrolla Conversores DC-DC con Salida Múltiple de Alta Eficiencia y Amplio Rango de Carga para Aplicaciones de Internet de las Cosas (Internet of Things, IoT).
Toshiba Corporation (TOKYO:6502) anunció hoy el desarrollo de un conversor DC-DC con inductor único y salida múltiple (Single-Inductor Multiple-Output, SIMO) en un chip para los dispositivos de IoT que ...
Communicado publicado en el 10/11/2016 - 09:12
Toshiba desarrolla la primera memoria flash NAND Apilada de 16 Die con Tecnología TSV
Toshiba Corporation (TOKYO:6502) anunció hoy el desarrollo de la primera*1 memoria flash NAND apilada de 16 die (máx.) que utiliza tecnología de vías que atraviesan el silicio (Through Silicon Via, TSV). El ...
Communicado publicado en el 06/08/2015 - 11:11
Toshiba Desarrolla Transistores de Efecto de Campo de Tunelización para MCU de Ultra Baja Potencia
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de Transistores de Efecto de Campo de Tunelización (Tunneling Field Effect Transistors, TFET) que utilizan un nuevo principio de funcionamiento para ...
Communicado publicado en el 11/09/2014 - 23:00
Toshiba Desarrolla VCO de 2,4 GHz de Extremadamente Bajo Consumo con Técnica de Control Dinámico de Tensión de Alimentación
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy que desarrolló un oscilador controlado de tensión (Voltage Controlled Oscillator, VCO) de 2,4 GHz de extremadamente bajo consumo para sistemas inalámbricos de bajo ...
Communicado publicado en el 26/09/2014 - 18:40
Toshiba desarrolla la primera celda MROM con estructura de celda de nivel múltiple
Toshiba Corporation (TOKIO:6502) anunció hoy el desarrollo de la primera celda MROM del mundo para ofrecer mejores características de corriente de celda sin aumentar su tamaño. Este avance se logró al adoptar una ...
Communicado publicado en el 13/06/2013 - 14:39
Toshiba Desarrolla Dos Nuevos Procesos Tecnológicos para Circuitos Integrados para Microcontroladores y Comunicaciones Inalámbricas
- Memoria flash de consumo ultrabajo integrada en el proceso lógico para aplicaciones con consumo eléctrico crítico y proceso integrado de memoria no volátil “single-poly” (non-volatile memory, NVM)[1] para aplicaciones ...
Communicado publicado en el 07/07/2015 - 03:33
Toshiba desarrolla un modelo de simulación MOS-Varactor compacto para el desarrollo de circuitos de onda milimétrica CMOS
- Buena exactitud de CC a milímetro con un solo modelo -.
Communicado publicado en el 17/12/2012 - 16:52
Toshiba Desarrolla el SoC Multicore Heterogéneo 1.9 TOPS con Acelerador de Clasificación de Objetos Basados en Color para Aplicaciones de Reconocimiento de Imágenes
– Cuatro tipos de descriptores de características logran una tasa de detección nocturna que coincide con la tasa de reconocimiento diurna –.
Communicado publicado en el 27/02/2015 - 20:24
Toshiba Desarrolla una Nueva Serie de Conjunto de Transistores Utilizando la Última Tecnología de Procesos
Expansión de la cartera del conjunto de transistores altamente eficientes mediante la adopción de DMOS FET [1] para el controlador de salida.
Communicado publicado en el 18/09/2014 - 21:29
Toshiba desarrolla tecnología de bajo consumo para SRAM integrada
Se confirma un 27 % de reducción del consumo en modo activo y un 85 % de reducción del consumo en modo de espera.
Communicado publicado en el 22/02/2013 - 02:00