Toshiba Lanza la Serie "πMOS VIII" de MOSFET de Alta Tensión

Reduce la resistencia en encendido en aproximadamente un 24 %.

Communicado publicado en el 22/07/2013 - 08:36

Panasonic Lanza el Dispositivo de *1 Semiconductor 'PhotoMOS' más Pequeño de la Industria y de Bajo Consumo de Energía

Panasonic Corporation anunció hoy que ha desarrollado el dispositivo de *1 semiconductor más pequeño de la industria, la serie “PhotoMOS” del tipo CC ”[1], el cual logra un bajo consumo de energía y ...

Communicado publicado en el 09/05/2015 - 03:05

Toshiba: Compromiso con Dispositivos de Potencia

Toshiba (TOKYO: 6502): Los dispositivos de potencia son productos estratégicos que están a la vanguardia del negocio de los dispositivos discretos. En la electrónica de potencia, el foco de Toshiba ...

Communicado publicado en el 05/04/2013 - 21:35

Descripción General del Stand de Panasonic en CES 2016

Panasonic Corporation exhibirá su concepto de Ciudad Inteligente en CES 2016, del 6 al 9 de enero de 2016, en Las Vegas, Nevada, con sus últimos productos, soluciones y tecnología que ayudan a hacer realidad el ...

Communicado publicado en el 08/01/2016 - 03:44

Toshiba lanza el MOSFET de baja resistencia de encendido N-ch de 100V para aplicaciones en vehículos

Utiliza el paquete "DPACK+" adecuado para conmutación de alta velocidad.

Communicado publicado en el 06/03/2013 - 17:28

Toshiba Lanza el MOSFET de Baja Resistencia en Encendido para Aplicaciones Automotrices

La última línea agrega el paquete "DPAK+" adecuado para conmutación de alta velocidad.

Communicado publicado en el 25/01/2013 - 19:25

Panasonic Muestra Soluciones 4K Profesionales con su Tecnología AV y Soluciones de TI en NAB 2015

Panasonic muestra las más recientes soluciones AV profesionales y de transmisión en la versión 2015 de National Association of Broadcasters (NAB) en Las Vegas, Nevada, del 13 al 16 de abril de 2015. En este ...

Communicado publicado en el 16/04/2015 - 16:58

Toshiba Mostrará las Soluciones de Semiconductores de Tecnología de Punta para Sistemas de Motores y de Potencia en TECHNO-FRONTIER 2013

Toshiba Corporation Semiconductor & Storage Products Company anunció hoy que mostrará sus soluciones de semiconductores de tecnología de punta para sistemas de motores y de potencia en TECHNO-FRONTIER 2013. ...

Communicado publicado en el 12/07/2013 - 16:06

Toshiba Lanza el MOSFET de Baja Resistencia en Encendido para Aplicaciones en Vehículos

También logra una baja pérdida de corriente y una operación a 175 °C.

Communicado publicado en el 15/01/2013 - 17:15

El N-channel LDMOS, Totalmente Aislado, Recientemente Desarrollado por Toshiba Comprende Robustez de Alta HBM y Alto Voltaje de Ruptura a Polarización Negativa en Semiconductores de Potencia Analógica de Generación de Micrones 0,13.

Toshiba (TOKYO: 6502) ha desarrollado tecnología N-channel LDMOS totalmente aislada que soporta el intercambio entre el voltaje de corte a la polarización negativa (BVnb) y robustez HBM, una medida de resistencia a ...

Communicado publicado en el 02/06/2017 - 15:18

serie mos