Toshiba Desarrolla la Primera BiCS (Memoria Flash Tridimensional de Estructura Apilada) de 48 Capas del Mundo

Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) anunció hoy el desarrollo de la primera memoria flash tridimensional de estructura*2 de células apiladas de 48 capas*1 del mundo, denominada BiCS, un dispositivo de 2 bits ...

Communicado publicado en el 26/03/2015 - 12:30

Toshiba Memory Corporation Inicia la Construcción de la Primera Instalación de Fabricación en la Ciudad de Kitakami, en la Prefectura de Iwate

Toshiba Memory Corporation, el líder mundial en soluciones de memoria, celebró hoy una ceremonia de colocación de cimientos de la primera instalación de fabricación de semiconductores (fab), llamada K1, en ...

Communicado publicado en el 24/07/2018 - 14:21

Kioxia desarrolla la nueva estructura celular de memoria flash semicircular 3D "Twin BiCS FLASH"

- Utilizando la nueva tecnología de puerta dividida para aumentar la densidad de bits -.

Communicado publicado en el 12/12/2019 - 23:03

Toshiba Memory Corporation Desarrolla la Primera Memoria Flash 3D con Tecnología TSV

Logra una entrada y salida de datos de alta velocidad, bajo consumo energético, gran capacidad.

Communicado publicado en el 11/07/2017 - 17:25

La Innovation City (Ciudad de la innovación) de la GSMA vuelve al Congreso Mundial de Telefonía Móvil de Shanghái

El popular espacio de exposiciones incluye demostraciones vanguardistas del impacto de la tecnología móvil. Entre sus socios, figuran BICS, Cubic Telecom, HID Global, Huawei, Guiyang City Government, KT Corporation, myFC, ...

Communicado publicado en el 19/06/2017 - 14:50

Toshiba Inicia la Construcción de Fab 6 y el Memory R&D Center en Yokkaichi, Japón

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy que ha comenzado la construcción de una nueva planta de fabricación de semiconductores de vanguardia, Fab 6, y un nuevo Centro de I+D, el Memory R&D Center, para ...

Communicado publicado en el 09/02/2017 - 12:14

Toshiba Expande la Producción de Memoria Flash 3D con la Construcción de Una Nueva Planta de Fabricación en Yokkaichi

– Reforzará el desarrollo de memoria flash mediante la construcción del centro Memory R&D –.

Communicado publicado en el 08/11/2016 - 21:12

Toshiba Adquiere Terrenos para Nueva Planta de Producción de Semiconductores

-- La Ampliación de las Operaciones de Yokkaichi Posicionan a la Empresa como Líder de Memorias 3D --.

Communicado publicado en el 02/02/2016 - 09:23

Kioxia Corporation empieza la construcción de una nueva fábrica en la planta de Kitakami

Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, realizó hoy la ceremonia de inauguración de su fábrica de semiconductores de última tecnología (Fab2) en la planta de Kitakami, prefectura de Iwate, Japón. La nueva fábrica, que ...

Communicado publicado en el 06/04/2022 - 14:47

Kioxia y Western Digital invierten conjuntamente en una nueva planta de fabricación de memoria flash en la planta de Yokkaichi

La producción inicial comenzará en el otoño del calendario 2022.

Communicado publicado en el 15/04/2022 - 15:33

Kioxia adquirirá Chubu Toshiba Engineering

Chubu Toshiba Engineering se convertirá en una subsidiaria de propiedad absoluta de Kioxia en 2022 Obtiene talento de ingeniería con amplia experiencia y logra eficiencias de costos.

Communicado publicado en el 24/02/2022 - 17:09

La GSMA informa récord de asistencia en el Mobile World Congress de Shanghái 2017

El evento de Shanghái contó con la asistencia de casi 67 500 personas, un aumento del 27 % con respecto a la edición 2016.

Communicado publicado en el 04/07/2017 - 13:45

Kioxia desarrolla la tecnología OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM)

Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, acaba de anunciar el desarrollo de la OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM), un nuevo tipo de DRAM 4F2 , compuesta por un transistor de óxido-semiconductor que tiene ...

Communicado publicado en el 11/12/2024 - 09:30

Kioxia y MoDeCH desarrollan un sistema de sondeo tridimensional

Medición de las características de alta frecuencia para estructuras tridimensionales hasta 110 GHz.

Communicado publicado en el 27/09/2024 - 10:09

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