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Toshiba: Un dispositivo de estructura innovadora en el MOSFET de bajo consumo para aplicaciones RF/analógicas
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de un transistor de alta ganancia de potencia utilizando un proceso compatible con CMOS. El transistor reduce eficazmente el consumo de energía en la ...
Communicado publicado en el 11/06/2013 - 16:20
Lunes 23 de diciembre - 01:36
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