Toshiba Storage & Electronic Devices Solutions Company Publica la Edición en Inglés del Informe Ambiental 2016

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy que ha publicado la edición en inglés del “Informe Ambiental 2016 de Toshiba Storage & Electronic Devices Solutions Company”, su revisión anual de la ...

Communicado publicado en el 28/02/2017 - 13:30

La Nueva Compañía de Semiconductores de Toshiba Fortalecerá las Propuestas de Soluciones e Incorporará una Mayor Eficiencia a I&D

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) hoy anunció la consolidación de dos de sus subsidiarias, Toshiba Microelectronics Corporation (TOSMEC) y Toshiba Discrete Semiconductor Technology ...

Communicado publicado en el 28/03/2019 - 17:44

Toshiba Es el Ganador del 63.º Premio Okochi Memorial Grand Technology Prize

Innovación para lograr una regla de diseño de alta densidad para memoria Flash NAND de celda de varios bits reduciendo el efecto de acoplamiento de celdas de memoria adyacentes.

Communicado publicado en el 17/02/2017 - 22:34

Toshiba Desarrolla Conversores DC-DC con Salida Múltiple de Alta Eficiencia y Amplio Rango de Carga para Aplicaciones de Internet de las Cosas (Internet of Things, IoT).

Toshiba Corporation (TOKYO:6502) anunció hoy el desarrollo de un conversor DC-DC con inductor único y salida múltiple (Single-Inductor Multiple-Output, SIMO) en un chip para los dispositivos de IoT que ...

Communicado publicado en el 10/11/2016 - 09:12

Toshiba Ya Envía Muestras de su Memoria Flash 3D de 64 Capas y 512 Gigabits

-- Mejora su línea con el chip BiCS FLASH™ de mayor capacidad --.

Communicado publicado en el 22/02/2017 - 12:09

Toshiba Inicia la Construcción de Fab 6 y el Memory R&D Center en Yokkaichi, Japón

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy que ha comenzado la construcción de una nueva planta de fabricación de semiconductores de vanguardia, Fab 6, y un nuevo Centro de I+D, el Memory R&D Center, para ...

Communicado publicado en el 09/02/2017 - 12:14

Toshiba Expande la Producción de Memoria Flash 3D con la Construcción de Una Nueva Planta de Fabricación en Yokkaichi

– Reforzará el desarrollo de memoria flash mediante la construcción del centro Memory R&D –.

Communicado publicado en el 08/11/2016 - 21:12

Toshiba lanza un SoC Bluetooth® de bajo consumo con un consumo de corriente de recepción de 3,2 mA y corriente de transmisión de 3,5 mA

Toshiba (TOKIO:6502) desarrolló un sistema en un chip (System-on-Chip, SoC) Bluetooth® de bajo consumo 1 compatible con la versión 4.2 que reduce la corriente a un 50 % de los productos actuales2 para ...

Communicado publicado en el 08/11/2016 - 07:51

Toshiba avanza en el aprendizaje profundo con un procesador neuromórfico de consumo extremadamente bajo

Toshiba Corporation (TOKIO:6502) continúa con su compromiso de la promoción del Internet de las Cosas y el análisis de grandes volúmenes de datos con el desarrollo de una red neuronal de dominio del tiempo (Time ...

Communicado publicado en el 08/11/2016 - 06:20

Toshiba Implementará las Funciones “Eyefi Connected” en la Próxima Generación de Tarjetas FlashAir™

Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) anunció hoy que las próximas generaciones de FlashAir™, su tarjeta de memoria Secure Digital (SD) que admite comunicaciones de red de área local (Local Area Network, LAN) ...

Communicado publicado en el 23/08/2016 - 00:00

Toshiba despacha el primer embarque de muestras del mundo de memorias flash 3-D de 64 capas

-- La nueva generación de Toshiba BiCS FLASH™ agrega capas e impulsa la capacidad --.

Communicado publicado en el 27/07/2016 - 04:20

Toshiba y Western Digital Celebran la Inauguración de la Nueva Planta de Fabricación de Semiconductores Fab 2 en Yokkaichi, Japón

Toshiba Corporation (TOKYO:6502) y Western Digital Corporation (NASDAQ:WDC) celebran hoy la inauguración de la nueva planta de fabricación de semiconductores Fab 2 ubicada en Yokkaichi, prefectura de Mie, Japón. ...

Communicado publicado en el 16/07/2016 - 05:48

Dispositivo de Protección contra Descarga Electrostática de Toshiba con Proceso de 0,13 μm para Semiconductor de Energía Analógica Mejora Características de ESD

Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha desarrollado un dispositivo de protección contra descarga electrostática para la aplicación de semiconductores de energía analógica. El dispositivo está fabricado con ...

Communicado publicado en el 15/06/2016 - 21:14

Generador de Reloj de Brote Cancelado de Toshiba Recupera Sensibilidad del Receptor en SoC Inalámbricos

Toshiba Corporation (TOKYO:6502) desarrolló un generador de reloj de brote cancelado (spur canceled clock generator, SCCG) que recupera la sensibilidad del receptor de los circuitos integrados de conectividad ...

Communicado publicado en el 14/06/2016 - 14:50

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