Toshiba Es el Ganador del 63.º Premio Okochi Memorial Grand Technology Prize

17/02/2017 - 22:34 por Business Wire

Toshiba Es el Ganador del 63.º Premio Okochi Memorial Grand Technology PrizeInnovación para lograr una regla de diseño de alta densidad para memoria Flash NAND de celda de varios bits reduciendo el efecto de acoplamiento de celdas de memoria adyacentes.

El reciente trabajo de Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) en tecnología de punta para semiconductores ha sido galardonada con el 63.º Premio Okochi Memorial Grand Technology Prize, el reconocimiento más prestigioso para tecnología industrial de Japón.

Este premio, establecido en 1954, reconoce los avances en el campo de ingeniería industrial, en áreas como investigación y desarrollo de tecnologías de producción. El compromiso de Toshiba con la excelencia en materia de investigación y fabricación le ha permitido ganar este premio en muchas oportunidades, más recientemente hace cuatro años. Este año, el galardón ha premiado la tecnología innovadora de Toshiba para reducir el efecto de acoplamiento de celdas de memoria adyacentes, lo que permite lograr una regla de diseño de alta densidad para memoria Flash NANDA de celdas de varios bits. La ceremonia de entrega de premios tendrá lugar en Tokio el 24 de marzo.

La memoria Flash NAND, un invento de Toshiba, es la tecnología de almacenamiento que permitió materializar los dispositivos digitales personales que resultan esenciales para la forma de vida moderna. Se encuentra en teléfonos inteligentes, tabletas y computadoras, en tarjetas de memoria SD y en memorias USB, además de dispositivos de almacenamiento industriales como SSD.

La memoria Flash NAND combina una gran capacidad de almacenamiento con bajos costos que se obtienen mediante tecnologías de achicamiento de regla de diseño y de celdas de varios bits. No obstante, la constante miniaturización acerca cada vez más las celdas de memoria, lo cual hace que los electrones de una celda de memoria se vean afectados al programar las celdas adyacentes. Este es un problema muy grave para las celdas de memoria de varios bits donde los datos se registran con menos electrones dado que se generan lecturas de datos falsas.

El desarrollo de la tecnología de Toshiba, aplicada a la memoria Flash NAND de celda de varios niveles (Multi-Level Cell, MLC) (2 bits/celda), asegura una confiabilidad de datos de alto nivel. Se basa en la secuencia de programación de celdas múltiples: primero programa un bit en una celda, luego programa un bit en las celdas adyacentes y, por último, programa otro bit en la primera celda. Este enfoque de agregar bits de datos en forma individual reduce la interferencia del acoplamiento entre celdas aledañas. La secuencia es compatible con los productos existentes marcando las celdas para identificar cuántos bits fueron programados en la celda.

Una tecnología más avanzada ha permitido que Toshiba produzca una NAND de celda de triple nivel (Triple Level Cell, TLC) (3 bits/celda) de gran confiabilidad. La tecnología aporta una programación en secuencia a las celdas NAND tipo TLC mediante una programación de tres pasos con mayores conteos de bit por celda, y asegura una programación rápida y precisa que prácticamente elimina la interferencia de acoplamiento de celdas adyacentes.

La reducción de los tamaños de los chips con tecnología de celdas de varios bits presenta múltiples beneficios: menor consumo de energía durante la producción, uso de menos materiales en el procesamiento, menor impacto ambiental y mejor rendimiento de la producción. También le ha permitido a Toshiba traer memoria Flash NAND de bajo costo y alta capacidad al mercado, en respaldo de más aplicaciones en productos y del desarrollo permanente para nuestra sociedad ávida de información.

Toshiba continuará promoviendo las innovaciones en tecnología para memoria Flash que cumplan con las necesidades de las industrias basadas en la información.

Tecnología galardonada
Tecnología para reducir el efecto de acoplamiento de celdas de memoria adyacentes para obtener una memoria Flash NAND de celdas de varios bits de reglas de diseño de alta densidad

Premios recibidos
Noboru Shibata, Memory Division
Masaki Fujiu, Memory Division
Hiroshi Sukegawa, Center for Semiconductor Research and Development
Toshiba Corporation Storage & Electronic Devices Solution Company

Acerca de Toshiba
Fundada en Tokio en 1875, Toshiba Corporation es una compañía de Fortune Global 500 que contribuye a un mundo mejor y a una mejor vida con tecnologías innovadoras en Energía, Infraestructura y Almacenamiento. Guiada por la filosofía de “Comprometidos con las personas, comprometidos con el futuro”, Toshiba promueve operaciones a través de una red global de 551 empresas consolidadas que emplean a 188 000 personas, con ventas anuales que superan los 5600 billones de JPY (50 000 millones de USD; 31 de marzo de 2016).
Obtenga más información acerca de Toshiba en www.toshiba.co.jp/index.htm

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Source(s) : Toshiba Corporation Storage & Electronic Devices Solutions Company

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