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Toshiba y SanDisk Celebran la Apertura de la Segunda Fase de Fab 5 y el Comienzo de la Construcción de la Nueva Planta de Fabricación de Semiconductores Fab 2, en Yokkaichi, Japón
Toshiba Corporation (TOKYO:6502) y SanDisk Corporation (NASDAQ:SNDK) celebraron hoy la apertura de la segunda fase de la planta de fabricación de semiconductores Nº. 5 (Fab 5) y el inicio de la construcción ...
Communicado publicado en el 09/09/2014 - 07:16
Toshiba inicia la construcción de la segunda fase de las instalaciones de fabricación de semiconductores n.° 5 en Yokkaichi
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) realizó hoy la ceremonia de puesta de la piedra fundamental en preparación para el inicio de la construcción de la Fase 2 de Fab 5, las instalaciones de fabricación de vanguardia ...
Communicado publicado en el 23/08/2013 - 18:15
Toshiba Inicia la Construcción de Fab 6 y el Memory R&D Center en Yokkaichi, Japón
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy que ha comenzado la construcción de una nueva planta de fabricación de semiconductores de vanguardia, Fab 6, y un nuevo Centro de I+D, el Memory R&D Center, para ...
Communicado publicado en el 09/02/2017 - 12:14
Toshiba y SanDisk Anuncian el Inicio de la Instalación de Equipos en la Nueva Fab 2 de Yokkaichi
Se Firmaron los Acuerdos Definitivos para la Nueva Fab 2.
Communicado publicado en el 21/10/2015 - 15:40
Toshiba Memory y Western Digital celebran la apertura de Fab 6 y Memory R&D Center en Yokkaichi, Japón
Toshiba Memory Corporation y Western Digital Corporation (NASDAQ: WDC) celebraron hoy la inauguración de la nueva planta de fabricación de semiconductores Fab 6 y el Memory R&D Center, en las operaciones de ...
Communicado publicado en el 19/09/2018 - 23:14
Toshiba y Western Digital Celebran la Inauguración de la Nueva Planta de Fabricación de Semiconductores Fab 2 en Yokkaichi, Japón
Toshiba Corporation (TOKYO:6502) y Western Digital Corporation (NASDAQ:WDC) celebran hoy la inauguración de la nueva planta de fabricación de semiconductores Fab 2 ubicada en Yokkaichi, prefectura de Mie, Japón. ...
Communicado publicado en el 16/07/2016 - 05:48
Toshiba Memory Corporation Inicia la Construcción de la Primera Instalación de Fabricación en la Ciudad de Kitakami, en la Prefectura de Iwate
Toshiba Memory Corporation, el líder mundial en soluciones de memoria, celebró hoy una ceremonia de colocación de cimientos de la primera instalación de fabricación de semiconductores (fab), llamada K1, en ...
Communicado publicado en el 24/07/2018 - 14:21
Toshiba Expande la Producción de Memoria Flash 3D con la Construcción de Una Nueva Planta de Fabricación en Yokkaichi
– Reforzará el desarrollo de memoria flash mediante la construcción del centro Memory R&D –.
Communicado publicado en el 08/11/2016 - 21:12
Toshiba Memory Corporation Invertirá en Plantas de Producción para Fab 6 en Yokkaichi Operations
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy que su junta directiva, durante la reunión de hoy, ha acordado un programa de inversiones FY2017 para su subsidiaria de propiedad absoluta, Toshiba Memory Corporation ...
Communicado publicado en el 28/06/2017 - 20:59
Toshiba Reemplazará Fab 2 en Yokkaichi Japón para la Transición a la Tecnología NAND 3D
- Toshiba y SanDisk Firman un Memorando de Entendimiento -.
Communicado publicado en el 15/05/2014 - 02:04
Toshiba Expandirá su Planta de Fabricación de Semiconductores
- La segunda fase de construcción de Fab 5 en Yokkaichi está por comenzar -.
Communicado publicado en el 02/07/2013 - 15:36
Toshiba Comienza la Producción Masiva de las Primeras Memorias Flash NAND 15 nm
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy que desarrolló la primera tecnología de proceso de 15 nanómetros (nm)*1 del mundo, que se aplicará a memorias NAND de 2 bit por celda y 128 gigabit (16 ...
Communicado publicado en el 23/04/2014 - 09:39
Toshiba Adquiere Terrenos para Nueva Planta de Producción de Semiconductores
-- La Ampliación de las Operaciones de Yokkaichi Posicionan a la Empresa como Líder de Memorias 3D --.
Communicado publicado en el 02/02/2016 - 09:23
GLOBALFOUNDRIES y Freescale Partner desarrollarán tecnologías de memorias flash de 90nm
Tecnología de avanzada dirigida al uso en plataformas industriales de próxima generación y microcontroladores multimercado Freescale..
Communicado publicado en el 02/09/2010 - 14:38