Toshiba y SanDisk Celebran la Apertura de la Segunda Fase de Fab 5 y el Comienzo de la Construcción de la Nueva Planta de Fabricación de Semiconductores Fab 2, en Yokkaichi, Japón

09/09/2014 - 07:16 por Business Wire
Toshiba y SanDisk Celebran la Apertura de la Segunda Fase de Fab 5 y el Comienzo de la Construcción de la Nueva Planta de Fabricación de Semiconductores Fab 2, en Yokkaichi, Japón
Toshiba y SanDisk Celebran la Apertura de la Segunda Fase de Fab 5 y el Comienzo de la Construcción de la Nueva Planta de Fabricación de Semiconductores Fab 2, en Yokkaichi, Japón

Toshiba Corporation (TOKYO:6502) y SanDisk Corporation (NASDAQ:SNDK) celebraron hoy la apertura de la segunda fase de la planta de fabricación de semiconductores Nº. 5 (Fab 5) y el inicio de la construcción de la nueva planta de fabricación Nº. 2 (Fab 2) en Yokkaichi Operations, la planta de memoria Flash NAND de Toshiba en la prefectura de Mie, en el Japón.

Fab5 at Toshiba Yokkaichi Operations (Photo: Business Wire)

Fab5 at Toshiba Yokkaichi Operations (Photo: Business Wire)

Toshiba inició la construcción de la segunda fase de Fab 5 en agosto de 2013, y Toshiba y SanDisk han supervisado la instalación de equipos de producción de la instalación ampliada desde julio de este año. La producción en la fase 2 comenzó a principios de este mes, con la tecnología de proceso de memoria flash NAND de 15 nm, el nodo más pequeño y más avanzado del mundo. Toshiba y SanDisk anunciaron la implementación de este proceso de memoria flash NAND de 15nm desarrollada, conjuntamente, en abril de este año, con una producción inicial en parte de la fase 1 de Fab 5, y ahora se dirigen a la conversión de la capacidad restante en la fase 1 a la nueva tecnología de proceso.

Toshiba está construyendo la nueva Fab 2 para asegurar el espacio y convertir así la actual capacidad de NAND 2D de Toshiba y SanDisk a NAND 3D, con la disposición prevista para la producción en 2016. Toshiba y SanDisk instalarán, conjuntamente, los equipos de producción y determinarán la capacidad instalada y las metas y cronogramas de producción, mediante el monitoreo riguroso de las tendencias del mercado.

Yasuo Naruke, Vicepresidente Ejecutivo Corporativo de Toshiba Corporation y presidente y Director Ejecutivo de Semiconductor & Storage Products Company, afirmó: "Nuestra determinación de desarrollar tecnologías avanzadas subraya nuestro compromiso para responder a la continua demanda de memoria Flash NAND. Confiamos en que nuestra empresa conjunta con SanDisk nos permitirá producir memorias competitivas de próxima generación en Yokkoachi".

Sanjay Mehrotra, Presidente y Director Ejecutivo de SanDisk, señaló: "Estamos encantados de seguir avanzando en la colaboración de SanDisk y Toshiba, como así también de continuar con la asociación de más de una década de ambas compañías con la ciudad de Yokkaichi, en la Prefectura de Mie, y el Japón. La Fase 2 de Fab 5 y el futuro de la Nueva Fab 2 proporcionarán a ambas compañías el espacio de sala blanca necesario para continuar con la conversión de nuestra capacidad NAND instalada a los nuevos nodos de tecnología avanzada”.

Toshiba y SanDisk ven un crecimiento de la demanda a largo plazo de la memoria flash NAND, en particular, para los teléfonos inteligentes, tabletas y SSD. Las empresas continuarán fortaleciendo su competitividad y liderazgo en el mercado a través del desarrollo y de la producción de tecnologías de memoria flash avanzadas.

 

Esquema de Fab 5 (incluyendo la fase 2) en Yokkaichi Operations

Estructura del edificio:     2 plantas de hormigón armado con marco de acero, cinco pisos
Área del edificio: aproximadamente 38 000 m2
Inicio de la construcción: (Fase 1) julio de 2010; (Fase 2) agosto de 2013
Terminación del edificio: (Fase 1) julio de 2011; (Fase 2) septiembre de 2014
 
 

Esquema de la Nueva Fab 2 en Yokkaichi Operations

Estructura del edificio: 2 plantas de hormigón armado con marco de acero, cinco pisos
Área del edificio: Aproximadamente 27 300 m2
 

Acerca de Toshiba
Toshiba Corporation, una compañía Fortune 500, canaliza las capacidades de clase mundial en los productos eléctricos y electrónicos avanzados, y en los sistemas en cinco ámbitos estratégicos de negocios: Energía e Infraestructura, Soluciones Comunitarias, Sistemas y Servicios de Salud, Dispositivos y Componentes Electrónicos, y Productos y Servicios de Estilos de Vida. Guiada por los principios del Compromiso Básico del Grupo Toshiba, “Comprometidos con la Gente, Comprometidos con el Futuro” (Committed to People, Committed to the Future), Toshiba promueve operaciones internacionales para garantizar el “Crecimiento mediante la Creatividad y la Innovación” (Growth Through Creativity and Innovation), y está contribuyendo a lograr un mundo en el que todas las personas vivan en una sociedad segura y cómoda.

Fundada en Tokio en 1875, Toshiba, hoy en día, está en el centro de una red global de más de 590 empresas consolidadas que emplean a más de 200 000 personas en todo el mundo, con ventas anuales que superan los 6,5 billones de yenes (63 000 millones de USD). Para obtener más información acerca de Toshiba, visite www.toshiba.co.jp/index.htm

Acerca de SanDisk
SanDisk Corporation (NASDAQ:SNDK), una compañía Fortune 500 y S&P 500, es líder mundial en soluciones de almacenamiento flash. Durante más de 25 años, SanDisk ha ampliado las posibilidades de almacenamiento al ofrecer productos confiables e innovadores que han transformado la industria electrónica. Hoy en día, las soluciones de calidad de última generación de SanDisk están en el corazón de muchos de los centros de datos más grandes del mundo y están incluidas en teléfonos inteligentes avanzados, tabletas y computadoras personales. Los productos de consumo de SanDisk están disponibles en cientos de miles de tiendas minoristas de todo el mundo. Para obtener mayor información, visite www.sandisk.com.

Declaraciones a futuro de SanDisk

Este comunicado de prensa contiene algunas declaraciones a futuro que incluyen afirmaciones sobre cronogramas de demolición y construcción, nuestras expectativas de tiempo para las primeras producciones de obleas, el foco esperado de producción en la nueva sala limpia, el desarrollo de nuevas tecnologías, tales como NAND 3D, y productos, y el liderazgo en memoria NAND. Existe una cantidad de riesgos e incertidumbres que pueden hacer que estas declaraciones a futuro sean inexactas, lo que incluye, entre otros: condiciones generales del negocio y de la economía; la incapacidad de desarrollar, o las dificultades o demoras imprevistas para el desarrollo o aumento con rentabilidad aceptable; las nuevas tecnologías, como NAND 3D; o la imposibilidad de las nuevas tecnologías de competir, eficazmente, con las de nuestros competidores; dificultades o demoras de construcción; la imposibilidad de alcanzar acuerdos definitivos con Toshiba en la Nueva Fab 2 o los demás riesgos detallados, ocasionalmente, en nuestras presentaciones e informes a la Comisión de Bolsa y Valores (Securities and Exchange Commission, SEC), incluido, entre otros, nuestro reciente informe trimestral en el formulario 10-Q. No pretendemos actualizar la información contenida en el presente comunicado de prensa.

El texto original en el idioma fuente de este comunicado es la versión oficial autorizada. Las traducciones solo se suministran como adaptación y deben cotejarse con el texto en el idioma fuente, que es la única versión del texto que tendrá un efecto legal.

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Megumi Genchi/Kota Yamaji, +81-3-3457-3576
Communication IR Promotion Group
División de Planificación Comercial
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Contacto con los Medios:
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brendan.lahiff@sandisk.com


Source(s) : Toshiba Semiconductor & Storage Products Company