transistores efecto campo

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Toshiba Desarrolla Transistores de Efecto de Campo de Tunelización para MCU de Ultra Baja Potencia

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de Transistores de Efecto de Campo de Tunelización (Tunneling Field Effect Transistors, TFET) que utilizan un nuevo principio de funcionamiento para ...

Communicado publicado en el 11/09/2014 - 23:00

Toshiba ampliará la capacidad de producción de semiconductores de potencia con una planta de fabricación de obleas de 300 milímetros

— La Fase 1 de Producción aumentará la capacidad de producción 2,5 veces —.

Communicado publicado en el 04/02/2022 - 07:34

Pre-Switch anuncia tecnología de conmutación suave multiplataforma mediante inteligencia artificial

Pre-Switch, Inc., el proveedor líder a nivel mundial de tecnología de conmutación suave (soft switching), presentó hoy la tecnología Pre-Flex™, un circuito integrado (Integrated Circuit, IC) controlador de ...

Communicado publicado en el 01/06/2018 - 07:25

Dispositivo de Protección contra Descarga Electrostática de Toshiba con Proceso de 0,13 μm para Semiconductor de Energía Analógica Mejora Características de ESD

Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha desarrollado un dispositivo de protección contra descarga electrostática para la aplicación de semiconductores de energía analógica. El dispositivo está fabricado con ...

Communicado publicado en el 15/06/2016 - 21:14

NTT y la Universidad de Tokio producen la primera señal de comunicación del mundo generada a partir de un circuito y batería ecológicos

NTT Corporation (presidente y director ejecutivo: Akira Shimada, “NTT”) y la Escuela de Posgrado de Ciencias de la Frontera, Universidad de Tokio (Graduate School of Frontier Sciences, The University of Tokyo, GSFS) han producido con éxito la ...

Communicado publicado en el 11/10/2022 - 17:10

Toshiba ampliará la capacidad de producción de semiconductores de potencia con una nueva planta de producción

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) anunció hoy que construirá una nueva planta de producción back-end para semiconductores de potencia en su sede Himeji-Semiconductor, en la prefectura de Hyogo en Japón ...

Communicado publicado en el 19/12/2022 - 11:22