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Toshiba Expande su Línea de Diodos Barrera SiC Schottky de 650 V
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) Semiconductor & Storage Products Company anunció hoy que expandirá su familia de diodos barrera schottky (SBD) de carburo de silicio (SiC) de 650 V con la adición de ...
Communicado publicado en el 30/05/2014 - 22:42
Toshiba Expande la Producción de Memoria Flash 3D con la Construcción de Una Nueva Planta de Fabricación en Yokkaichi
– Reforzará el desarrollo de memoria flash mediante la construcción del centro Memory R&D –.
Communicado publicado en el 08/11/2016 - 21:12
Toshiba Expande su Línea de MOSFET de Potencia para Estaciones de Base y Servidores
Lanza productos de 60V con un desempeño de baja resistencia en encendido de primera clase[1] y conmutación de alta velocidad.
Communicado publicado en el 28/06/2013 - 15:39
Lunes 23 de diciembre - 11:57
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