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BitFury Anuncia la Producción Masiva del Chip ASIC de 16 nm más Rápido y Efectivo del Mundo
El nuevo chip consolida a BitFury como el líder en eficiencia energética de la industria La compañía líder en procesamiento de transacciones de Bitcoin Blockchain introducirá, en el mercado, el chip, durante el ...
Communicado publicado en el 17/12/2015 - 02:46
Toshiba Inicia la Producción Masiva de Circuitos Integrados de Regulación de Sistemas con Función de Monitoreo para Vehículos Eléctricos e Híbridos
- La función de monitoreo reforzado contribuye a generar sistemas más seguros para los vehículos -.
Communicado publicado en el 16/10/2015 - 00:07
Toshiba Comienza la Producción Masiva de las Primeras Memorias Flash NAND 15 nm
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy que desarrolló la primera tecnología de proceso de 15 nanómetros (nm)*1 del mundo, que se aplicará a memorias NAND de 2 bit por celda y 128 gigabit (16 ...
Communicado publicado en el 23/04/2014 - 09:39
Developing Telecoms: China iniciará la producción masiva a gran escala de sus chips de 14 nm en 2022
Developing Telecoms informa de que el cambio de tendencia en los semiconductores hará que los microchips de 14nm se produzcan a gran escala en China ya el año que viene. De acuerdo con Wu Hanming, decano de la facultad de microelectrónica y ...
Communicado publicado en el 03/09/2021 - 11:34
Toshiba Inicia el Envío de la Producción Masiva del Sensor de Imagen CMOS de 20 Megapíxeles
- Logra módulos de cámara de 6 mm de altura o menos para teléfonos inteligentes y tabletas -.
Communicado publicado en el 05/03/2015 - 22:18
Toshiba Amplía su Línea de Productos de Circuitos Integrados de Motores para Pequeños Ventiladores
La adopción del paquete SSOP16 contribuye a la reducción del costo de montaje.
Communicado publicado en el 14/02/2014 - 11:59
Toshiba Presenta Circuitos Integrados (IC) Controladores de Motores Paso a Paso con Interfaz Serial
Reducción en el número de señales que contribuye a la simplificación de los sistemas.
Communicado publicado en el 27/11/2013 - 20:09
Toshiba Lanza los Nuevos Circuitos Integrados de Compuerta Lógica Multifunción CMOS
Soporta sistemas de 5V en un paquete pequeño especialmente adecuado para dispositivos móviles.
Communicado publicado en el 11/12/2012 - 02:50
DSI y Frontgrade firman un acuerdo para desarrollar y distribuir la próxima evolución en unidades de memoria masiva de 2 TB para el espacio
Representantes de DSI Aerospace, proveedor de electrónica de alto rendimiento y sistemas de almacenamiento masivo para aplicaciones aéreas y espaciales, y Frontgrade Technologies, proveedor de referencia en soluciones de alta confiabilidad y ...
Communicado publicado en el 21/11/2024 - 06:28
WISeKey (SIX: WIHN) adquirirá el negocio de circuitos integrados y semiconductores para IoT de INSIDE Secure (Euronext Paris: INSD)
Creación de la primera plataforma de ciberseguridad de confianza integral, de extremo a extremo, para personas y objetos Brinda considerables oportunidades de venta cruzada con productos complementarios ...
Communicado publicado en el 19/05/2016 - 17:00
Dialog Semiconductor Plc: certificación de FCC para el transmisor de carga inalámbrico de potencia a distancia de Energous abre paso a una completa hoja de ruta de una solución de conjunto de chips del sistema ...
La aprobación de FCC valida la carga inalámbrica remota de WattUp(R) y permite que Dialog acelere la producción masiva de conjunto de chips.
Communicado publicado en el 08/01/2018 - 22:41
Anuncio de TRIPLE-1 Inc. de dos nuevos productos que utilizan el proceso de 7 nm y el proceso de 5 nm de vanguardia
TRIPLE-1 Inc. (sede central: Hakata-ku, Fukuoka-shi, Fukuoka; director ejecutivo y director representante: Takuya Yamaguchi; en adelante: TRIPLE-1) anunció dos nuevos productos: El circuito integrado de aplicación específica (Aplication Specific ...
Communicado publicado en el 04/02/2020 - 23:42
Toshiba Desarrolla una Nueva Serie de Conjunto de Transistores Utilizando la Última Tecnología de Procesos
Expansión de la cartera del conjunto de transistores altamente eficientes mediante la adopción de DMOS FET [1] para el controlador de salida.
Communicado publicado en el 18/09/2014 - 21:29