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Toshiba Expande la Línea de IGBT Discretos para Fines Generales e Industriales
El producto TO-3P(N)/50A se agrega a la serie de conmutación robusta de 6.º generación.
Communicado publicado en el 29/03/2013 - 21:12
Toshiba concluye su nueva planta de fabricación de obleas de 300 milímetros para semiconductores de potencia
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ha organizado una ceremonia para conmemorar la finalización de una nueva instalación de fabricación de obleas de 300 milímetros para semiconductores de potencia y un edificio ...
Communicado publicado en el 23/05/2024 - 10:46
Viernes 22 de noviembre - 19:23
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