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Kioxia desarrolla la tecnología OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM)
Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, acaba de anunciar el desarrollo de la OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM), un nuevo tipo de DRAM 4F2 , compuesta por un transistor de óxido-semiconductor que tiene ...
Communicado publicado en el 11/12/2024 - 09:30
Kioxia desarrolla la nueva estructura celular de memoria flash semicircular 3D "Twin BiCS FLASH"
- Utilizando la nueva tecnología de puerta dividida para aumentar la densidad de bits -.
Communicado publicado en el 12/12/2019 - 23:03
Kioxia y MoDeCH desarrollan un sistema de sondeo tridimensional
Medición de las características de alta frecuencia para estructuras tridimensionales hasta 110 GHz.
Communicado publicado en el 27/09/2024 - 10:09
Lunes 23 de diciembre - 13:10
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