KAGA FEI desarrolla un módulo Bluetooth Low Energy ultrapequeño compatible con Bluetooth 6.0

KAGA FEI Co., Ltd., proveedor mundial líder de módulos inalámbricos de corta distancia, ha presentado hoy el módulo ES4L15BA1 Bluetooth Low Energy. Este comunicado de prensa trata sobre multimedia. Ver la noticia completa aquí: ...

Communicado publicado en el 10/10/2024 - 14:00

KAGA FEI desarrolla el módulo EC4L15BA1 Bluetooth Low Energy que combina un bajo consumo de energía con una alta capacidad de procesamiento

KAGA FEI Co., Ltd., proveedor mundial líder de módulos inalámbricos de corta distancia, presentó hoy el módulo EC4L15BA1Bluetooth Low Energy. Un módulo que cuenta con una antena integrada y ha obtenido diversas certificaciones. Por ...

Communicado publicado en el 25/07/2024 - 14:00

KAGA FEI desarrolla el módulo combinado LAN inalámbrica/Bluetooth integrado en procesador WKR612AA1 y compatible con el estándar Matter

KAGA FEI Co., Ltd., proveedor mundial de módulos inalámbricos destacados de corta distancia, presentó hoy el módulo combinado LAN inalámbrica/Bluetooth WKR612AA1 integrado en procesador para apoyar el desarrollo de dispositivos compatibles con ...

Communicado publicado en el 09/07/2024 - 14:00

KAGA FEI amplía su gama de módulos combinados LAN inalámbrica/Bluetooth

Ideales para el desarrollo de dispositivos integrados de bajo consumo con interfaz SDIO.

Communicado publicado en el 29/08/2024 - 14:00

Toshiba concluye su nueva planta de fabricación de obleas de 300 milímetros para semiconductores de potencia

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ha organizado una ceremonia para conmemorar la finalización de una nueva instalación de fabricación de obleas de 300 milímetros para semiconductores de potencia y un edificio ...

Communicado publicado en el 23/05/2024 - 10:46

ROHM y Toshiba acuerdan colaborar en la fabricación de dispositivos de potencia

El METI reconoce que el plan conjunto favorece un suministro estable y seguro.

Communicado publicado en el 08/12/2023 - 16:00

Toshiba ampliará la capacidad de producción de semiconductores de potencia con una planta de fabricación de obleas de 300 milímetros

— La Fase 1 de Producción aumentará la capacidad de producción 2,5 veces —.

Communicado publicado en el 04/02/2022 - 07:34

Bentley Systems anuncia los finalistas de los Premios Going Digital Awards in Infrastructure 2022

Los ganadores se darán a conocer en una ceremonia de premiación en Londres el 15 de noviembre.

Communicado publicado en el 27/09/2022 - 14:54

Toshiba Semiconductor & Storage Products Company Publica la Edición en Inglés de su Informe Ambiental 2015

Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) anunció hoy la publicación de la edición en inglés del “Informe Ambiental 2015 de Toshiba Semiconductor & Storage Products Company”, la revisión anual de sus políticas, ...

Communicado publicado en el 03/02/2016 - 14:16

La Estrategia de Productos Semiconductores Discretos de Toshiba

Toshiba (TOKYO: 6502) busca la expansión estable del negocio al proporcionar dispositivos discretos en mercados en crecimiento. El ámbito comercial está cambiando y los mercados para teléfonos ...

Communicado publicado en el 26/08/2014 - 16:16

Toshiba y Amkor Technology Completan la Adquisición por Parte de Amkor de las Operaciones de Prueba y Empaque de Semiconductores de Toshiba en Malasia

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) y Amkor Technology, Inc. (Nasdaq: AMKR) anunciaron hoy que las empresas completaron la adquisición por parte de Amkor de Toshiba Electronics Malaysia Sdn. Bhd. (“TEM”), la ...

Communicado publicado en el 01/08/2013 - 02:57

Toshiba y Amkor Technology Completan la Adquisición por Parte de Amkor de las Operaciones de Prueba y Empaque de Semiconductores de Toshiba en Malasia

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) y Amkor Technology, Inc. (Nasdaq: AMKR) anunciaron hoy que las empresas completaron la adquisición por parte de Amkor de Toshiba Electronics Malaysia Sdn. Bhd. (“TEM”), la ...

Communicado publicado en el 31/07/2013 - 21:02

Toshiba comenzará a vender paquetes de LED blanco

- El nuevo producto usará los chips GaN fabricados en obleas de silicio de 200 mm -.

Communicado publicado en el 14/12/2012 - 16:45

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