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El N-channel LDMOS, Totalmente Aislado, Recientemente Desarrollado por Toshiba Comprende Robustez de Alta HBM y Alto Voltaje de Ruptura a Polarización Negativa en Semiconductores de Potencia Analógica de Generación de Micrones 0,13.

Toshiba (TOKYO: 6502) ha desarrollado tecnología N-channel LDMOS totalmente aislada que soporta el intercambio entre el voltaje de corte a la polarización negativa (BVnb) y robustez HBM, una medida de resistencia a ...

Communicado publicado en el 02/06/2017 - 15:18