Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd. (“PSCS”, Oficina central:
Ciudad de Nagaokakyo, Prefectura en Kyoto; Presidente: Kazuhiro Koyama)
ha llegado a un acuerdo con United Microelectronics Corporation (“UMC”,
Oficina central: Ciudad de Hsinchu, Taiwán, CEO: Po Wen Yen) para el
desarrollo conjunto de un proceso de producción masiva para ReRAM de
40 nm de próxima generación[1].
ReRAM, similar a la memoria flash [2] con un amplio uso
actual, es un tipo de memoria no volátil[3]. El dispositivo
presenta una estructura simple, con procesamiento de alta velocidad y
bajo consumo de energía. PSCS comenzó la producción masiva de ReRAM con
un proceso de 180 nm en 2013, y actualmente proporciona su
microcomputadora de 8 bits de la serie MN101LR para aplicaciones de bajo
consumo de energía como dispositivos de salud portátiles. La empresa fue
la primera en probar y verificar la gran confiabilidad de las matrices
de memoria mediante un proceso de 40 nm.
El proyecto corporativo acordado admitirá la integración de tecnologías
de proceso ReRAM de 40 nm de PSCS con las tecnologías de proceso CMOS de
alta confiabilidad de UMC. Esto logrará una plataforma de procesamiento
para que las ReRAM sean aplicables como memorias integradas en lugar de
memorias flash, en diversos dispositivos de sistemas como aquellos
ampliamente utilizados en tarjetas IC, terminales portátiles y
dispositivos IoT.
PSCS enviará muestras de productos en 2018 que contarán con el nuevo
proceso de 40 nm y será el primero en la industria en iniciar la
producción en masa. Las dos empresas, PSCS y UMC, ofrecerán la
plataforma de proceso de ReRAM desarrollada conjuntamente para otros
fabricantes de semiconductores y proveedores de todo el mundo.
En relación con este programa cooperativo, el Presidente de PSCS
Kazuhiro Koyama señala, “La empresa proporcionará una amplia gama de
productos óptimos que cumplen con las necesidades del cliente mediante
el desarrollo de una plataforma de escalabilidad del proceso que
acelerará la captación de ReRAM en el mercado, y PSCS se presenta como
el responsable del inicio de la producción masiva en la industria”.
“Estamos entusiasmados con el inicio de este contrato de fundición con
Panasonic”, manifestó el Vicepresidente Sénior S.C. Chien de UMC. “La
confiabilidad demostrada, los rápidos tiempos del ciclo y el alto
rendimiento de nuestro proceso de 40 nm nos ofrecerá un nuevo elemento
de competitividad con ReRAM de Panasonic, lo que resultará en beneficios
mutuos para ambas empresas a medida que el producto obtenga una amplia
adopción en el mercado. Esperamos con interés comenzar a trabajar con
Panasonic para traer el ReRAM de 40 nm a una producción de alto volumen”.
Acerca de Panasonic
Panasonic
Corporation es un líder mundial en el desarrollo de diversas tecnologías
electrónicas y soluciones para clientes de las industrias de electrónica
de consumo, inmobiliaria, automotriz, de soluciones empresariales y
dispositivos industriales en general. Desde su fundación en 1918, la
compañía se ha ampliado globalmente y en la actualidad opera 474
subsidiarias y 94 compañías asociadas a nivel mundial, registrando
ventas netas consolidadas de 7553 billones de JPY para el año finalizado
el 31 de marzo de 2016. La compañía está comprometida con la búsqueda de
nuevos valores a través de la innovación en todas las líneas
divisionales y utiliza sus tecnologías para crear una vida y un mundo
mejores para sus clientes. Para conocer más sobre Panasonic, visite: http://www.panasonic.com/global.
Acerca de UMC (United Microelectronics
Corporation)
UMC es una fundición de semiconductores
líder mundial que proporciona producción de IC avanzada para
aplicaciones que abarcan el principal sector de la industria
electrónica. Las 10 fábricas de obleas de UMC están estratégicamente
ubicadas a lo largo de Asia y pueden producir más de 500 000 obleas por
mes. La empresa emplea a más de 17 000 personas en todo el mundo, con
oficinas en Taiwán, China continental, Europa, Japón, Corea, Singapur y
Estados Unidos.
UMC: http://www.umc.com
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Terminología
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[1]
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ReRAM (Memoria de acceso aleatorio resistiva)
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Memoria no volátil que genera amplias diferencias de resistencia al
aplicar voltajes de pulso en finas películas de óxido de metal para
almacenar “0” y “1”. Tiene una estructura simple que comprende
óxidos de metal intercalados con electrodos que admiten procesos de
fabricación simples, y presenta características excepcionales que
incluyen consumo de baja potencia y reescritura de alta velocidad.
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[2]
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Memoria flash
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Memoria no volátil que puede borrarse eléctricamente y reescribirse.
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[3]
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Memoria no volátil
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Memoria de semiconductor que retiene datos incluso cuando no hay
suministro de energía.
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