Panasonic Corporation anunció hoy el lanzamiento del paquete de
transistores de potencia (X-GaNTM)** y modo de refuerzo[1] de
nitruro de galio (GaN)[2] más pequeño de la industria. El GaN está
encapsulado en un paquete de montaje en superficie de doble plano sin
plomo (DFN) de 8 x 8. El paquete se puede montar en un área pequeña en
la que el montaje convencional es difícil de realizar, lo cual reduce el
consumo energético de los equipos de electrónica de consumo e
industriales.
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http://www.businesswire.com/news/home/20150518006812/es/
*: El paquete de transistores de potencia de 600-V de GaN con modo de
refuerzo estará disponible a partir del 18 de mayo de 2015, según las
previsiones de Panasonic Corporation.
**: X-GaN es una marca
comercial de Panasonic Corporation.
La tensión de ruptura de los transistores es de 600 V en modo de
refuerzo y los productos alcanzan una conmutación de alta velocidad de
200 V/ns y una baja resistencia de encendido[3] de entre 54 y 154 mΩ. La
compañía prevé enviar muestras del producto: tipo 10A (PGA26E19BV) y
tipo 15A (PGA26E08BV) en julio de 2015.
El transistor de potencia es un dispositivo semiconductor que controla
la fuente de alimentación. GaN es uno de los componentes semiconductores
más sobresalientes y cuando se utiliza en los transistores, se pueden
lograr mayores rendimientos de conmutación y tensión de ruptura que con
los de silicio (Si) y carburo de silicio (4H-SiC).
El nuestro transistor de potencia de GaN convencional está encapsulado
en un paquete de montaje en superficie con alta difusión de calor TO220
(tamaño: 15 x 9,9 x 4,6 mm); sin embargo, el paquete no es lo
suficientemente pequeño y limita el área de montaje en la placa de
circuito impreso de los equipos electrónicos.
La inductancia parásita[4] reduce el uso del paquete de montaje en
superficie, lo que permite que la característica intrínseca del
transistor de potencia de GaN y su alto rendimiento de conmutación se
puedan ofrecer en un tamaño reducido de 8 x 8 x 1,25 mm bajo 600 V de
alta tensión. La introducción de los transistores de potencia en los
equipos electrónicos se ha agilizado ya que contribuye a reducir el
consumo de energía.
Los productos se exhibirán en la Feria de Conversión de Potencia y
Sistemas de Movimiento Inteligente (Power Conversion Intelligent Motion,
PCIM) en Núremberg, Alemania, del 19 al 21 de mayo de 2015.
[Características]
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El nuevo paquete de montaje en superficie de GaN DFN 8 x 8
(8 x 8 mm x 1,25 mm, con una superficie ocupada de 43 % en comparación
con los productos del paquete convencional TO-220) más pequeño del
mundo y optimizado para los transistores de potencia de GaN.
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La adopción del paquete de montaje en superficie reduce la inductancia
parásita, lo cual permite alcanzar un rendimiento de conmutación de
alta velocidad de 200 V/ns.
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Los transistores de puerta de inyección (GIT)[5] originales de
Panasonic, producidos en un sustrato de SI de seis pulgadas, permiten
la creación del modo de refuerzo.
Los transistores de potencia de GaN se utilizan en fuentes de
alimentación CA-CC (PFC, convertidores CC-CC aislados), sistemas de
carga de baterías, acondicionadores de potencia PV e inversores EV.
La compañía posee 200 patentes nacionales y 180 patentes
internacionales, incluidas las solicitudes pendientes, como la US
8779438, la patente básica para la estructura GIT original, y la US
8299737, la patente básica para el sistema de conducción que se
aprovecha de las operaciones normalmente inactivas.
Este proyecto cuenta con el respaldo parcial de la Organización de
Desarrollo de Nuevas Energías y Tecnología Industrial (New Energy and
Industrial Technology Development Organization, NEDO) de Japón, de
conformidad con el Desarrollo Estratégico del Proyecto de Tecnología de
Conservación de Energía.
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[Explicación de los términos]
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[1]
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Modo de refuerzo
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Un transistor con modo de refuerzo es un solo transistor que es
capaz de llevar a cabo las operaciones normalmente inactivas, una
característica de los dispositivos semiconductores que pueden
impedir el flujo de corriente entre la fuente y el drenaje cuando no
se aplica tensión a la puerta.
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[2]
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Nitruro de galio (GaN)
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El nitruro de galio es un semiconductor compuesto III-V con un
intersticio de banda amplio (entre la banda de valencia y la banda
de conducción). Los materiales con intersticio de banda más amplio
suelen tener una mayor tensión de ruptura.
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[3]
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Resistencia de encendido
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Es la resistencia entre el electrodo de la fuente y el electrodo de
drenaje de un transistor cuando se enciende el mismo (estado
conductivo).
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[4]
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Inductancia parásita
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La inductancia parásita son componentes inductivos no intencionales
en los paquetes de partes electrónicas. Aunque dichas inductancias
no causan problemas en las fuentes de alimentación a una frecuencia
de 50 o 60 Hz, pueden ser un obstáculo sustancial para las
operaciones de alta velocidad con fuentes de alimentación de GaN que
operan a una frecuencia de entre varios cientos de kHz y varios
cientos de MHz.
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[5]
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Transistor de puerta de inyección (GIT)
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Un GIT es un transistor de GaN normalmente inactivo desarrollado
originalmente por Panasonic Semiconductor Solutions. Los nuevos
principios operativos se basan en el aumento de la corriente del
drenaje en el momento de inyección de huecos para mantener la
compatibilidad entre la baja resistencia de encendido y el modo de
refuerzo.
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Página web de los productos de GaN:
http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/products/powerics/ganpower/
Acerca de Panasonic
Panasonic Corporation es un líder mundial en el desarrollo de diversas
tecnologías electrónicas y soluciones para clientes de las industrias
electrónicas, inmobiliaria, automotriz, de soluciones empresariales y
dispositivos industriales en general. Desde su fundación en 1918, la
compañía se ha expandido globalmente y, en la actualidad, opera 468
empresas subsidiarias y 94 empresas asociadas en todo el mundo,
registrando ventas netas consolidadas por valor de 7715 billones de
yenes para el año que finalizó el 31 de marzo de 2015. Comprometida con
la búsqueda de nuevos valores a través de la innovación en todas las
líneas divisionales, la compañía utiliza su propia tecnología para crear
un mejor nivel de vida y un mundo mejor para sus clientes. Para conocer
más sobre Panasonic, visite: http://www.panasonic.com/global
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