Panasonic Corporation anunció hoy el desarrollo de diodos de nitruro de
galio (gallium nitride, GaN) que no sólo operan en una alta corriente
que es cuatro veces mayor a la tolerada por los diodos convencionales de
carburo de silicio (silicon carbide, SiC)*1, sino que también
operan a bajo voltaje, debido a su bajo voltaje de encendido. La
producción de los nuevos diodos fue posible a través del desarrollo de
una nueva estructura híbrida compuesta por estructuras incorporadas en
forma separada, formadas por una unidad de bajo voltaje y una unidad de
alta corriente, en preparación para condiciones de alto voltaje.
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Los diodos convencionales de carburo de silicio (Si) tienen limitaciones
respecto a la reducción de pérdidas de encendido. Por otra parte, los
diodos basados en SiC, un compuesto que es considerado como un
prometedor semiconductor de energía del futuro, así como en GaN, exige
una mayor área de chip para alcanzar operaciones de alta corriente, lo
que impone limitaciones a la reducción de pérdidas de encendido y tamaño
relacionadas a mayores frecuencias operativas.
Estos nuevos diodos GaN alcanzaron, simultáneamente, operaciones de alta
corriente y bajos umbrales de voltaje y, de todos modos, pueden manejar
corrientes altas, aún con una pequeña área de chip. En consecuencia, la
capacitancia del chip puede ser reducida para lograr menores pérdidas de
encendido, lo que permite que el dispositivo opere en frecuencias más
altas. Como resultado de ello, el uso de los diodos GaN en circuitos de
conversión de voltaje o circuitos invertidos de equipos automotrices o
industriales que requieren alta potencia puede reducir el tamaño del
sistema, debido a la alta frecuencia de operación.
Este nuevo producto desarrollado tiene las siguientes ventajas.
・Operación de alta corriente: 7,6 kA/cm2 (aproximadamente 4
veces*1)
・Menor voltaje de encendido: 0,8 V
・Menor
resistencia (RonA): 1,3 mΩcm2 (aproximadamente un 50 % de
reducción*1)
Los diodos fueron creados en base a las siguientes tecnologías.
Estructura híbrida de diodos GaN con una capa p-GaN hundida:
Propusimos un diodo GaN híbrido con una capa tipo p en donde se forman
zanjas y desarrollamos una tecnología de procesamiento que puede
eliminar una capa tipo p en una capa tipo n de manera selectiva para
alcanzar no sólo operaciones de alta corriente y bajo voltaje de
encendido, sino también un voltaje de caída de 1,6 kV.
Fabricación de diodos en un sustrato GaN de baja resistencia:
Para este desarrollo, utilizamos sustratos GaN conductivos de baja
resistencia, que fueron utilizados comercialmente en LED y láser
semiconductores y que se espera sean adoptados en dispositivos de
energía en el futuro; además, establecimos las tecnologías para el
crecimiento epitaxial y procesamiento en un sustrato GaN antes de formar
los diodos. Una estructura en la cual las corrientes fluyen en dirección
vertical permite una menor área de chip y una menor resistencia.
Este trabajo fue financiado, parcialmente, por el Ministerio de
Medioambiente del gobierno de Japón.
Los resultados de este desarrollo fueron presentados en la Conferencia
Internacional sobre Materiales y Dispositivos en Estado Sólido de 2015
que se llevó a cabo en Sapporo, Japón (Septiembre de 2015).
*1 Comparado con un diodo SiC con un voltaje de 1200 V
Acerca de Panasonic
Panasonic Corporation es un líder a nivel mundial en el desarrollo de
diversas tecnologías electrónicas y soluciones para clientes de las
industrias electrónicas de consumo, inmobiliaria, automotriz, de
soluciones empresariales y dispositivos industriales en general. Desde
su fundación en 1918, la compañía se ha expandido globalmente y, en la
actualidad, opera 468 empresas subsidiarias y 94 empresas asociadas en
todo el mundo, registrando ventas netas consolidadas por valor de 7715
billones de yenes para el año que finalizó el 31 de marzo de 2015.
Comprometida con la búsqueda de nuevos valores a través de la innovación
en todas las líneas divisionales, la compañía utiliza su propia
tecnología para crear un mejor nivel de vida y un mundo mejor para sus
clientes. Para obtener más información sobre Panasonic, visite: http://www.panasonic.com/global.
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