Kioxia recibe el premio a la innovación 2022 del programa National Commendation for Invention

Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, anunció hoy que ha recibido el premio a la innovación 2022 del programa National Commendation for Invention, por la Invención de una optimización del método de lectura para memorias flash multinivel (patente n.º 4892307). El programa National Commendation for Invention, establecido en 1919, es un programa japonés dedicado a promover la ciencia y la tecnología y dar reconocimiento a las industrias que generan inventos, ideas y diseños excepcionales. Este es el tercer año consecutivo en que Kioxia recibe un premio de este prestigioso programa.

Ganadores (ambos empleados de Kioxia):

• Mitsuaki Honma, especialista principal del departamento de Gerencia de Diseño de Memorias de la división de Memorias
• Noboru Shibata, asistente del gerente general del Centro de investigación y desarrollo tecnológico de dispositivos del Instituto de investigación y desarrollo tecnológico de memorias

Al adoptar una nueva e innovadora codificación de bits con distribución y asignación más parejas, la tecnología premiada de Kioxia reduce el índice máximo de error esperado en memorias multinivel y reduce el área de chips requerida para almacenar códigos de corrección de errores (Error Correction Codes, ECC). Además, este desarrollo revolucionario mejora la latencia máxima de lectura de las memorias flash.

En respuesta a la demanda cada vez más alta de un almacenamiento de gran capacidad en nuestra sociedad digital, la memoria flash se está volviendo cada vez más multinivel, por lo que es posible almacenar más de un bit de datos en cada celda de la memoria. La memoria flash multinivel, en la que se almacenan tres o más bits de datos en cada celda, requiere una cantidad aún mayor de operaciones de determinación para discriminar una condición determinada (tensión umbral) de la celda de memoria para la lectura de datos. Además, las variaciones en la cantidad de operaciones de determinación asignadas entre bits son aún más en la memoria flash multinivel, por lo que se necesita más capacidad de corrección de errores. En la codificación convencional de bits, la lectura de un bit determinado exige una cantidad mayor de operaciones de determinación (es decir, una lectura más intensa) en comparación con la lectura de otros bits, lo que provoca más errores complejos en la lectura de dichos bits. Esto significa que se necesita un área más grande de chips para almacenar los datos que se generan por la mayor cantidad de ECC. El aumento de las operaciones de determinación en la codificación convencional de bits aumenta la latencia de lectura para esos bits.

Kioxia, guiada por su misión de elevar al mundo con memoria, se compromete con la investigación y el desarrollo de tecnología que aporta valor a las personas de todo el mundo.

Acerca de Kioxia

Kioxia es una empresa líder mundial en soluciones de memoria que se dedica al desarrollo, producción y venta de memorias flash y de unidades de estado sólido (Solid State Drives, SSD). En abril de 2017, su predecesora, Toshiba Memory, se escindió de Toshiba Corporation, la empresa que inventó la memoria flash NAND en 1987. Kioxia está comprometida con mejorar el mundo con memoria ofreciendo productos, servicios y sistemas que crean opciones para los clientes y un valor basado en la memoria para la sociedad. La innovadora tecnología de memoria flash 3D de Kioxia, BiCS FLASH™, está dando forma al futuro del almacenamiento en aplicaciones de alta densidad, incluidos los teléfonos inteligentes, computadoras personales y unidades SSD de avanzada, la industria automotriz y los centros de datos.

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